应能微电子申请静电放电保护结构相关专利，该结构可提前泄放静电防护集成电路

来源：新浪证券-红岸工作室

7月18日消息，国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种局部电场增强型静电放电保护结构及其制造方法”的专利。申请公布号为CN122421770A，申请号为CN202610893951.9，申请公布日期为2026年7月17日，申请日期为2026年6月22日，发明人朱伟东、赵泊然，专利代理机构常州赛创专利代理事务所（普通合伙），专利代理师丁涛，分类号H10W42/60、H05K1/02、H05K3/18、H10W70/05、H10W70/69。

专利摘要显示，本发明属于封装及印制电路板层级的静电防护技术领域，公开了一种局部电场增强型静电放电保护结构及其制造方法，包括：至少两个导电结构；至少一个绝缘限定结构，绝缘限定结构在导电结构之间限定形成至少一个气隙或微间隙；至少一个导电结构在面向气隙或微间隙的区域设置有局部电场增强结构；瞬态放电路径的起始区域由局部电场增强结构和绝缘限定结构共同决定。本发明使局部电场在预设区域形成增强并集中分布，从而在静电放电事件中形成瞬态放电路径，使静电能量在进入集成电路之前被优先释放。同时，在非静电放电状态下保持高阻抗和低寄生电容特性，并使放电起始区域在空间位置上受结构参数控制，提高放电触发的一致性及可预测性。

天眼查数据显示，江苏应能微电子股份有限公司成立日期2012年3月22日，法定代表人ZHU PHILLIP WEIDONG，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为小型，注册资本4286.5339万人民币，实缴资本4286.5339万人民币，注册地址为常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）。江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息121条，拥有行政许可11个。

江苏应能微电子股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种局部电场增强型静电放电保护结构及其制造方法发明专利公布CN202610893951.92026-06-22CN122421770A2026-07-17朱伟东、赵泊然2一种基于基区电阻调制的低触发电压瞬态电压抑制器及其制造方法发明专利公布CN202610873130.92026-06-17CN122395965A2026-07-14朱伟东、赵泊然3一种碳化硅高压瞬态电压抑制器件及其制造方法发明专利公布CN202610815337.02026-06-08CN122340831A2026-07-03朱伟东、赵泊然4一种高浪涌能力的沟槽势垒肖特基器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610693592.22026-05-20CN122248745A2026-06-19朱伟东、赵泊然5一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器发明专利授权CN202610461489.52026-04-09CN121985590B2026-06-30朱伟东、赵泊然6一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法发明专利授权CN202610352324.42026-03-23CN121925156B2026-06-19朱伟东、赵泊然7纵向SCR型瞬态过压保护器件发明专利授权CN202610313890.42026-03-16CN121888620B2026-05-26朱伟东、赵泊然8一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法发明专利授权CN202610296786.92026-03-12CN121843143B2026-05-22朱伟东、赵泊然9一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206231.02026-02-12CN122121202A2026-05-29李振道、孙明光、朱伟东10适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610184357.22026-02-09CN122121212A2026-05-29李振道、孙明光、朱伟东11一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511876860.62025-12-12CN121728802A2026-03-24李振道、孙明光、朱伟东12用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件发明专利授权CN202511309274.32025-09-15CN120812966B2025-11-18朱伟东、赵泊然13一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510796831.22025-06-16CN120321986A2025-07-15李振道、孙明光、朱伟东14一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510774266.X2025-06-11CN120282541B2025-08-26李振道、孙明光、朱伟东15用于防护雷击的压敏电阻夹层模组集成结构发明专利授权CN202510592406.12025-05-09CN120417465B2026-02-17朱伟东、赵泊然16一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法发明专利授权、公布CN202411329890.02024-09-24CN118841450B2024-12-17孙明光、李振道、朱伟东17一种自适应超结LDMOS结构发明专利授权、公布CN202411081577.X2024-08-08CN118782654B2025-04-08孙明光、李振道、朱伟东18一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件发明专利授权、公布CN202410982344.02024-07-22CN118522769B2024-10-01朱伟东、赵泊然19用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺发明专利授权、公布CN202410718845.82024-06-05CN118299408B2024-08-02朱伟东、赵泊然20用于ESD防护的双模灵敏检测瞬态触发电路发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202410480761.52024-04-22CN118074085A2024-05-24朱伟东、赵泊然21一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410239174.72024-03-04CN117832093B2024-05-10李振道、孙明光、朱伟东22一种自适应超结沟槽式MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311401481.22023-10-26CN117133791B2024-01-26孙明光、李振道、朱伟东23双齐纳阱SCR器件、制造工艺及其堆叠结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311282644.X2023-10-07CN117038720B2024-01-26朱伟东、赵泊然24具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311083616.52023-08-28CN116799070B2023-11-17孙明光、李振道、朱伟东25一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311076280.X2023-08-25CN116825850B2023-11-17孙明光、李振道、朱伟东26开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310912685.62023-07-25CN116647098B2023-10-03李征、赵泊然、朱伟东27一种超低电容双向SCR-TVS器件发明专利实质审查的生效、公布CN202310862496.22023-07-14CN116598309A2023-08-15朱伟东、赵泊然28一种垂直型双向SCR低电容TVS器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310862502.42023-07-14CN116581122B2023-09-12朱伟东、赵泊然29具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310816523.22023-07-05CN116525663B2023-09-12李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然30一种三维超结LDMOS结构及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310793099.42023-06-30CN116525655A2023-08-01孙明光、李振道、朱伟东、赵泊然31加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管实用新型授权CN202321650322.12023-06-27CN220106545U2023-11-28李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然32电机转子角度信息识别方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310670645.52023-06-08CN116404916A2023-07-07曹元、朱伟东、吴琦33内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310594164.02023-05-25CN116314341B2023-08-08朱伟东、赵泊然、李振道、孙明光34一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310540946.62023-05-15CN116259544B2023-08-08李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然35开关变换器控制电路、控制方法及电源设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310524618.72023-05-11CN116247908B2023-07-28李征、赵泊然、朱伟东36电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310505858.22023-05-08CN116247933B2023-07-25李征、赵泊然、朱伟东37一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310385852.62023-04-12CN116110944A2023-05-12朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道38一种低寄生电容焊盘发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310385849.42023-04-12CN116110872A2023-05-12朱伟东、赵泊然39一种栅控Resurf高压LDMOS结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310376829.02023-04-11CN116110955B2023-06-27朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道40一种分段式分离栅SGTMOSFET结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310381286.12023-04-11CN116093146B2024-02-20朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道41具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310371412.52023-04-10CN116093153B2023-07-21朱伟东、赵泊然42一种电压钳位组合器件发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310343608.32023-04-03CN116093912A2023-05-09朱伟东、赵泊然43碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211118851.72022-09-15CN115440822B2023-08-22李振道、孙明光44碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211081391.52022-09-06CN115172457B2024-05-03李振道、孙明光45具有高维持电压的瞬态电压抑制保护器件及静电放电电路发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202210098666.X2022-01-27CN114121944B2022-05-17朱伟东、赵泊然46具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202210098555.92022-01-27CN114121943B2022-05-17朱伟东、赵泊然47降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构实用新型专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权CN202220184870.92022-01-24CN216648324U2022-05-31朱伟东、赵泊然、王晓荣48一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202111325282.92021-11-10CN113764406B2022-03-01朱伟东、赵泊然49具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202111281199.62021-11-01CN113725213B2022-03-01朱伟东、赵泊然50一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202111122643.X2021-09-24CN113571421B2021-12-24李振道、孙明光、朱伟东