北京
国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“SONOS结构器件及其形成方法”的专利，公开号CN122395950A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本公开提供一种SONOS结构器件及其形成方法，其中，SONOS结构器件包括：衬底；堆叠栅结构，位于所述衬底上；所述堆叠栅结构包括：位于所述衬底上的第一氮氧化硅阻挡层；位于所述第一氮氧化硅阻挡层上的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层上的氮化硅层；位于所述氮化硅层上的第二氮氧化硅阻挡层；位于所述第二氮氧化硅阻挡层上的阻挡氧化层；位于所述阻挡氧化层上的栅极层；其中，所述第一氮氧化硅阻挡层的厚度小于所述隧穿氧化层的厚度，所述第二氮氧化硅阻挡层的厚度小于所述阻挡氧化层的厚度。采用上述技术方案，能够改善界面态并降低漏电流。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目290次，财产线索方面有商标信息21条，专利信息643条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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