北京
分享至
国家知识产权局信息显示，法国原子能和替代能源委员会；索泰克公司申请一项名为“芯片转移方法”的专利，公开号CN122397376A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于将芯片从布置在支撑衬底上的片块转移到受体衬底上的方法，事实上方法包括：‑形成被称为伪供体衬底的衬底（10），其包括支撑衬底（2）和片块（1），其中两个相邻片块间隔第一距离（d1），‑对片块进行化学机械抛光，‑在至少一部分片块中形成脆化区，以界定相应的芯片，‑经由片块将伪供体衬底键合到受体衬底，‑沿着脆化区分离片块，以将相应的芯片转移到受体衬底上，两个相邻芯片间隔大于第一距离（d1）的第二距离，‑在键合之前，对片块和/或受体衬底的表面进行局部粗糙化，以使所述表面的区域不适合键合，从而防止芯片转移到所述区域。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
