北京
分享至
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN122396032A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体基板、栅极结构及栅极绝缘层。栅极结构嵌入于半导体基板中。栅极绝缘层位于栅极结构与半导体基板之间，且包括绝缘层和绝缘氧化物层。绝缘层覆盖栅极结构。绝缘氧化物层位于绝缘层与半导体基板之间，且具有从上到下渐减的厚度。本发明的制造方法可减少半导体基板的消耗，并形成底部厚度较大的栅极绝缘层。减少半导体基板的消耗可以降低相邻栅极结构之间的串扰，即电路信号之间的干扰，从而避免电路逻辑错误。栅极绝缘层较厚的底部厚度可提升半导体结构的可靠性，故此半导体结构可展现更好的电性表现。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
