北京
国家知识产权局信息显示，上海阡陌微研设计工程有限责任公司申请一项名为“一种半导体结构的形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN122373700A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构。该方法包括：提供初始基底；初始基底包括介质层、第一牺牲层、第二牺牲层和第一堆叠层；形成第一光刻图形层；刻蚀第二牺牲层形成第一芯轴层；形成第一侧墙层；去除部分第一侧墙层，形成第一硬掩模层；在第一硬掩模层远离介质层的一侧形成第二光刻图形层；形成第二芯轴层；形成第二侧墙层；去除部分第二侧墙层，形成第二硬掩模层；以第二硬掩模层为掩膜，刻蚀介质层以形成多个沟槽。本申请通过在半导体结构的形成过程中进行两次曝光和相应的硬掩膜沉积和刻蚀，能够克服工艺限制，使得相邻沟槽之间的步长小于24nm。
天眼查资料显示，上海阡陌微研设计工程有限责任公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，上海阡陌微研设计工程有限责任公司专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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