北京
如果你运营着一座数据中心，面对同一批AI训练任务不断攀升的数据吞吐需求，存储的速度和容量每提升一个台阶，都能让你紧绷的神经松弛几分。7月2日，闪迪公司（SanDisk Corporation，纳斯达克代码：SNDK）就给了整个行业这样一个台阶。它宣布开始出样第十代3D NAND闪存BiCS10，规格为1Tb TLC，并抛出了一系列相当亮眼的参数。
最引人瞩目的，是BiCS10将位密度推到了超过29Gb/mm²的水平，闪迪自己用“行业领先”来形容这个数字。对比上一代BiCS8，这一代产品的位密度直接跃升了59%。通俗来说，这意味着在同样面积的硅片上，可以塞进多出近六成的数据，不管是固态硬盘、存储卡还是U盘，都有望用更小的体积承载更大的容量。对于那些空间寸土寸金的边缘AI设备或者超大规模数据中心，这无疑是一个极具诱惑力的指标。
速度上的提升同样干脆。BiCS10的接口速度达到了最高4.8Gb/s，相较BiCS8提高了33%。同时，功耗账本也变得更加好看——输入功耗降低了10%，输出功耗更是减少了34%。在AI推理集群、实时视频分析这些场景中，高速接口能更快地喂饱GPU或AI加速器，而功耗的显著下降，对于全年无休运转的服务器集群来说，累积下来的电力成本和散热压力不容小觑。
闪迪首席技术官阿尔珀·伊尔卡哈（Alper Ilkbahar）在谈到这一代产品时，强调了NAND在如今数据密集型计算中的角色：“随着计算变得愈发数据密集，NAND正扮演着日益关键的使命关键型角色。”他评价说，BiCS10 TLC在BiCS8的基础上实现了“更快的接口速度、更高的位密度以及改进的能效”。从他的表述中可以清晰看到，闪迪的技术迭代并非单点突破，而是围绕速度、容量和功耗三个维度进行的系统性拉高。
为了实现这些跃迁，BiCS10在物理架构和技术协议上都做了大幅升级。闪迪透露，该款闪存的存储层数已经堆叠到了332层，并采用了Toggle DDR6.0接口、SCA协议以及PI‑LTT技术，来支撑高速低功耗的运行表现。虽然公司没有逐一拆解这些底层技术，但层数的增加是密度提升的直接支撑，而新的接口和协议则确保了数据能在更高速率下稳定流动，同时把能耗压在一个更低的曲线上。对于系统设计者来说，这意味着可以在现有主控和PCB设计的基础上，更快地适配新闪存带来的性能红利。
值得注意的是，闪迪将这次出样定义为一项里程碑事件，明确提到它推进了公司面向人工智能以及其它数据密集型工作负载的NAND路线图。当前，生成式AI训练和推理对存储子系统的压力已经让很多厂商重新审视存算架构，闪迪在此时拿出实际可测试的样品，等于是在路线图的执行上给上下游合作伙伴喂了一颗定心丸。从产品矩阵角度看，闪迪这家以固态硬盘、存储卡和U盘等NAND闪存解决方案为核心的企业，一旦将BiCS10量产落地，旗下消费级和企业级产品线的竞争力会得到一次整体刷新。
同样在投资端，这条消息也拉高了市场对SNDK的关注。此前闪迪已经被一些机构列入2026年下半年值得买入的股票名单，而以此次技术发布为节点，其NAND技术储备和路线执行力又得到了新的验证。当然，也有分析报告在认可闪迪潜力的同时，指出部分AI股票可能具备更大的上行空间与更低的下行风险。不过，对于关心存储本身如何进化的人来说，BiCS10的出样已经是一个足够明确的信号：NAND闪存的速度、密度和能效正在同步加速，而AI数据中心里那些嗷嗷待哺的算力引擎，马上就要等到下一波更强劲的燃料补给。
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