东微半导体押注“第四代半导体”

7月3日，东微半导体（688261）抛出了一份重磅转债预案：拟募资不超过14.36亿元，将核心资金砸向新型功率器件、新一代控制芯片及研发中心的建设。

在这份巨额账单中，东微半导体直接将第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓摆上了核心研发牌桌。

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四代半导体成核心亮点

本次东微半导体拟发行可转债募资总额不超14.36 亿元，超 93% 资金直接投向三大研发与产业化项目，全程无常规产能扩张类投入。

图/源自东微半导体公告

新型功率器件技术和产品研发及产业化（投资占比38.2%）是本次募资的第一大投向，也是第四代半导体落地的核心抓手。

项目建设期36 个月，三条技术路线并行推进，前沿卡位与存量升级同步落地：

第四代半导体前瞻卡位：正式启动氧化镓功率器件研发，瞄准超高压电网、固态变压器、工业级大功率电源等下一代电力电子场景，提前锁定下一代功率材料的技术入场券。在行业普遍预判2030 年氧化镓市场进入爆发期的节点，以公开募资的形式明确投入，足见其长期布局的决心，而非短期概念跟风。

SiC 技术纵深突破：在现有650V-1700V 量产平台基础上，向 3300V-10kV 超高耐压区间延伸，同步布局 SiC JFET、SiC 超结 MOS 等差异化器件，补齐高端 SiC 产品矩阵。

GaN 全矩阵补全：推进高/ 中 / 低压全系列 GaN HEMT 研发与产业化，抢抓 AI 数据中心高密度电源的增长窗口。

项目建成后，新研发产品将在数据中心电源、新能源汽车、固态变压器等市场实现规模销售，完成从第三代到第四代的完整技术路线覆盖。

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东微半导体三级梯队浮出水面

这次募资并非从零起步的跨界，而是基于东微半导现有的业务底盘，打出的一套层次分明的“组合拳”

其清晰的三级产品梯队已经成型：第一级聚焦硅基器件，第二级瞄准SiC与GaN，第三级卡位第四代半导体。

硅基器件稳住基本盘。作为东微半导体的营收压舱石，硅基MOSFET支撑着公司的基本面。过去三年间，公司总出货量实现翻倍，2025年高达4.58亿颗。随着产品结构向高价值区倾斜，工业及通信电源已超越消费电子，贡献了38%的营收，为后续的前沿研发提供了充足的“弹药”。

SiC与GaN跨越爆发临界点。宽禁带半导体是本次募资的核心攻坚战。当前，东微半导体的650V-1200V第二、三代SiC MOSFET已稳定交付，第四代产品正推进验证。

拿到了这笔新资金后，其SiC耐压平台将强势拉升至3300V甚至10kV的超高压区间，并同步发力SiC JFET等差异化产品，剑指高压电网与固态变压器等高端局。在GaN领域，东微半导体则计划全线铺开高、中、低压产品，直接切入对高密度电源极度饥渴的AI数据中心赛道。

第四代半导体提前卡位。这是东微半导体拉开与国内同行代差的关键一步。氧化镓的理论性能极限是SiC的10倍，在超高压、大功率场景下潜力巨大。在行业预计2030年氧化镓市场将迎爆发的背景下，东微半导此刻同步启动研发，意味着其在下一代技术的起跑线上，已经与海外巨头站在了同一排。

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东微半导体宽禁带营收迎拐点

重金押注前沿技术的底气，从来不是凭空而来。透过近三年的经营数据可以看到，东微半导体的宽禁带业务早已走完从0 到 1 的技术验证阶段，正站在规模化落地的临界点上，直击四代半导体。

作为第三代半导体的核心抓手，SiC 器件是东微半导体最先突破的赛道，近三年走出了一条清晰的 “起步- 回调-反转”的深 V 增长曲线。

·2023 年，SiC MOSFET 正式进入批量交付期，全年实现营收 70.45 万元，完成从技术研发到市场化产品的初步落地；

·2024 年，受功率半导体行业整体去库存、中低端市场价格战影响，下游需求阶段性疲软，SiC 业务营收小幅回落至 63.65 万元，同比下滑 9.65%。

·2025 年，行业周期触底回升，叠加公司高压产品持续突破，SiC 业务迎来强势反转：全年实现营收 125.69 万元，同比增速达 97.45%，几乎实现翻倍。

这一轮增长并非靠低价走量拉动，而是商业化质量的全面升级。

目前，东微半导体第二、三代650V/1200V SiC MOSFET 已通过严苛的工业级可靠性验证，进入稳定交付阶段，成功切入台达、思格新能源、陆巡科技等行业头部客户供应链，覆盖 AI 服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心高景气场景。

更具标志性的是，壁垒更高的1700V SiC 系列产品已通过客户测试并斩获订单 —— 该电压等级是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件，长期被海外厂商垄断，这一突破既拉高了整体盈利水位，也为后续冲击 3300V 乃至 10kV 超高压平台积累了真实的场景验证数据。

SiC 稳步起量的同时，GaN 赛道也已完成技术储备，进入量产落地的倒计时。

截至2025 年末，东微半导体低压 GaN HEMT 技术已取得阶段性突破，多电压等级产品完成开发，正密集推进客户端验证。

东微半导体的GaN 业务无需从零拓展客户：凭借硅基时代在数据中心、通信电源领域积累的深厚客户基础，叠加 AI 算力爆发带动高密度电源方案的刚性升级需求，GaN 产品可直接复用现有客户渠道，大幅缩短导入周期，助力第四代半导体。

14.36 亿重金押注，第四代半导体正式落子，东微半导体这张前瞻牌，跳出了当下 SiC/GaN 赛道的同质化竞速，瞄准的是下一代功率半导体的技术话语权。

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