北京
（AI云资讯消息）英特尔在制程工艺路线图中，预计将推出采用双面供电架构的14A节点优化版本。
台积电和三星将在未来几年通过1.4纳米制程技术进一步加剧晶圆代工领域的竞争。台积电的A14晶圆厂将于明年投产，三星则目标在2029年实现1.4纳米技术的量产。与此同时，英特尔也将在明年推出突破性的14A技术，外部客户正纷纷排队体验英特尔重振后的代工与制造业务。
就在这些进展的同时，英特尔正考虑对制程工艺路线图进行更新。这些更新主要是为了应对即将到来的与台积电和三星的竞争。据报道，这些节点更新中包含一项全新成员，被称为14A2，这项新技术将是标准14A工艺的改进版本。
英特尔14A节点采用PowerDirect技术，加入了背面供电网络。而14A2节点将采用双面架构，从正面和背面同时进行供电。标准14A节点的M0间距将缩小至28纳米，但14A2会将该间距进一步缩减至21纳米。
这将通过双重图形等改进技术实现，同时还能提升密度。14A节点已具备使晶体管密度提升30%的能力，因此预计14A2节点将进一步提高密度。
这有助于提升高数值孔径极紫外光刻设备的利用率，从而改善单机盈利，但21纳米的间距尺寸也带来了一些挑战，比如电阻的增加。此外，纳米硅通孔原本的设计也无法应对这种密度提升。为此，据悉英特尔采用了一种复合结构，以背面供电网络作为主供电源，同时将部分电力分配到正面金属层。
随着计算和人工智能需求急剧增长，半导体企业正全力加速发展。台积电订单堆积如山之际，芯片制造商也开始将目光投向英特尔和三星等其他晶圆代工厂。英特尔正迎来信心高涨的浪潮，但在半导体制造领域仍需证明自身实力，尤其是对外部客户而言，其18A-P、14A以及最新的14A2等产品备受关注。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
