北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“MOS器件的集成结构的高压工艺制造方法”的专利，公开号CN122340890A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MOS器件的集成结构的高压工艺制造方法，在沉积栅极多晶硅及第一掩膜层后，通过第一栅极光罩首先定义中压器件栅极结构区图形，通过独立光罩，中压器件栅极结构进行刻蚀，保证去除中压器件栅极结构区之外的中压器件区的栅介质层，暴露硅衬底上表面；在沉积第二侧墙材料层后，通过目标区域全面刻蚀形成高压器件栅极结构的正常侧墙，并使中压器件侧墙增厚，节省了一层侧墙形成光罩，中压器件栅极结构左右两侧的源漏区处硅衬底没有栅介质层覆盖，后续不需要单独进行中压器件形成区域的栅介质层去除工艺，节省了一道中压器件形成区域的栅介质层去除光罩。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2089次，专利信息2824条，此外企业还拥有行政许可544个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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