北京
国家知识产权局信息显示，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶炉生长用掺杂器的管理方法及系统”的专利，公开号CN122327371A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种晶炉生长用掺杂器的管理方法及系统，属于晶圆生产控制技术领域，该方法包括：分析弯月面图像以获取弯月面特征和晶体熔体的微观结构波，基于弯月面特征确定放大权重，基于微观结构波确定增强因子；基于内部状态信号和弯月面特征，采用基线预测模型和扰动预测模型预测固相掺杂浓度的基线预测值和微观扰动预测值；使用放大权重和增强因子对微观扰动预测值进行调整获得调整扰动值，综合基线预测值、调整扰动值和预设的异常指标，采用评估模型输出晶体生长的风险指数，基于风险指数调整掺杂器的设备参数。通过本发明能够对晶体生长状态进行早期风险预警。
天眼查资料显示，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本250000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目24次，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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