扬杰科技申请功率二极管相关专利，低寄生电感二极管降成本兼顾性能实用

来源：新浪证券-红岸工作室

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种低寄生电感功率二极管及制备方法”的专利。申请公布号为CN122340830A，申请号为CN202610593818.1，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2026年4月30日，发明人熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郭翔，分类号H10D8/00、H10D8/01、H10W40/22。

专利摘要显示，一种低寄生电感功率二极管及制备方法，涉及半导体技术领域。包括：芯片，背面设有背金属层，正面设有一对阳极电极和位于一对所述阳极电极之间的阴极电极；阳极框架，设有一对，分别与对应所述阳极电极电性连接；所述阳极框架底面从塑封体内露出，作为P极引脚；阴极框架，与所述阴极电极电性连接；所述阴极框架的底面分别从所述塑封体内露出，作为N极引脚。本发明采用框架蚀刻制备凸台的成型方案，相较于芯片端制作金属凸点的工艺，加工难度更低、成品良率更高，可有效控制封装生产成本，兼顾结构性能与量产实用性。

扬杰科技成立于2006年8月2日，于2014年1月23日在深圳证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于江苏省扬州市。该公司是国内功率半导体领先企业，专注功率半导体产品，具备全产业链竞争优势。

扬杰科技所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及半导体材料、功率半导体、氮化镓等概念板块。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域。

2025年，扬杰科技营业收入达71.3亿元，在18家同行业公司中排名第3，行业第一名*ST闻泰为312.53亿元，第二名士兰微为130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。其主营业务中，半导体器件收入62.57亿元，占比87.75%；半导体芯片收入5.34亿元，占比7.49%等。净利润方面，2025年扬杰科技达12.45亿元，在同行业18家公司中排名第1，第二名捷捷微电为4.76亿元，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种低寄生电感功率二极管及制备方法发明专利公布CN202610593818.12026-04-30CN122340830A2026-07-03熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅2一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅3一种高功率密度TVS二极管及制备方法发明专利公布CN202610415630.82026-03-31CN122269779A2026-06-23熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅4一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅5一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅6一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅7一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅8一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅9一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅10一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅11一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅12一种高功率密度三极管及制备方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅13一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅14一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅15一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅16一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅17一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅18光伏旁路器件实用新型授权CN202521754537.72025-08-18CN224459747U2026-07-03李广源、梁欣源、陈润生、王毅19一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅20二极管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐超、司天平、陈润生、王毅21二极管上料装置实用新型授权CN202521740725.42025-08-15CN224449345U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅22二极管收料装置实用新型授权CN202521740719.92025-08-15CN224449543U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅23一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅24一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅25一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅26一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅27一种抑制塑封分层的全包封框架及封装实用新型授权CN202521215415.02025-06-13CN224460572U2026-07-03代书雨、王玉林、张敏、王毅28提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅29多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅30一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅31单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅32一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅33一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅34一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅35一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅36一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅37一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅38自动防卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、王毅39整流桥周转管打塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、王毅40整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、王毅41框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、王毅42一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅43一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅44具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅45具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅46整流桥防反治具实用新型授权CN202423192234.92024-12-24CN223665429U2025-12-12金超、徐俊、王毅47一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411854926.72024-12-17CN119584574A2025-03-07王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅48一种晶圆加工用吸附装置实用新型授权CN202423106298.22024-12-17CN223566605U2025-11-18唐红梅、张晓勇、王毅49具有高续流能力的SIC MOSFET器件实用新型授权CN202423106302.52024-12-17CN223584622U2025-11-21王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅50一种晶圆加工定位切割装置实用新型授权CN202423106293.X2024-12-17CN223589763U2025-11-25唐红梅、张晓勇、王毅