北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成在基材上的金属、磷和氮层结构体及包括所述层结构体的阈值电压偏移层的方法”的专利，公开号CN122318739A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，公开了形成金属、磷和氮层结构体的方法。所述方法包括执行原子层沉积工艺的一个或多个沉积循环，所述原子层沉积工艺包括引入金属前体和磷前体。进一步公开了形成包含金属、磷和氮层结构体的阈值电压偏移层的方法。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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