你可以把晶圆制造理解成:在一片圆形硅片上,用光刻、沉积、刻蚀、掺杂、清洗、检测等步骤,一层一层“盖出”数十亿个微型开关和电路。
一、基础概念
晶圆 Wafer
制造芯片的圆形硅片,像一张“芯片大饼”,上面能做出很多颗芯片。芯片 Chip / Die
晶圆切割后得到的一小块电路,像从大饼上切下来的一小片。裸片 Die
还没有封装的芯片本体,像还没穿外壳的发动机。硅 Silicon
最常用的半导体材料,是芯片制造的“地基”。半导体 Semiconductor
导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,像一个可以被控制开关的水龙头。集成电路 IC
把大量晶体管、电阻、电容等做在一小片芯片上,像一座微型电子城市。晶圆厂 Fab
制造晶圆芯片的工厂,像芯片世界里的超级精密工厂。制程 Process Node
常说的 28nm、7nm、5nm、3nm 等,代表芯片制造技术代际。纳米 nm
长度单位,1 纳米等于十亿分之一米,用来形容芯片结构很小。摩尔定律 Moore’s Law
芯片上的晶体管数量长期不断增加,像同样面积的城市里楼越盖越密。
晶体管 Transistor
芯片里最基本的开关,控制电流通不通。MOSFET
经典晶体管结构,可以理解为用电压控制电流的微型开关。源极 Source
晶体管中电流进入的一端,像水管的进水口。漏极 Drain
晶体管中电流流出的一端,像水管的出水口。栅极 Gate
控制晶体管开关的部位,像水龙头的阀门。沟道 Channel
电流在晶体管里通过的路径,像水流经过的小水道。FinFET 鳍式晶体管
把沟道做成立体鳍片,像把平房改成立体楼房,提高控制能力。GAA 环绕栅晶体管
栅极从四周包围沟道,像手把水管四面握住,控制更强。N 型半导体
电子较多的半导体,像负电荷更活跃的材料。P 型半导体
空穴较多的半导体,可以理解为“正电空位”更活跃。
前段 FEOL
主要制造晶体管本体的阶段,像先盖好城市里的楼房。中段 MOL
把晶体管连接到上层金属线的过渡阶段,像楼房接入城市道路。后段 BEOL
制造多层金属互连线的阶段,像给城市修立交桥和电网。流片 Tape-out
芯片设计完成后交给晶圆厂制造,像建筑图纸正式送进工厂施工。投片 Wafer Start
晶圆正式开始进入生产线,像原材料开始上流水线。掩膜版 Mask / Reticle
光刻时用的“图案模板”,像把电路图刻在胶片上。批次 Lot
一组一起生产的晶圆,像同一批进厂加工的零件。工艺步骤 Process Step
制造芯片的一道工序,先进芯片可能有上千道步骤。循环工艺 Loop
光刻、刻蚀、沉积等步骤反复进行,像一层一层盖楼。工艺整合 Integration
把所有工艺组合起来稳定制造芯片,像协调整个建筑工程。
光刻 Lithography
用光把电路图案“印”到晶圆上,像给晶圆拍一张超精密照片。光刻胶 Photoresist
对光敏感的材料,像晶圆表面的“感光胶片”。涂胶 Spin Coating
把光刻胶均匀甩涂在晶圆上,像转动盘子把蜂蜜摊平。曝光 Exposure
用光照射掩膜版,把图案转移到光刻胶上。显影 Development
把曝光后的图案显现出来,像照片冲洗。DUV 深紫外光刻
用深紫外光制造芯片,成熟制程和部分先进制程都大量使用。EUV 极紫外光刻
用波长更短的光做更精细图案,像用更细的笔画电路。ArF 光刻
一种常见 DUV 光刻技术,可用于先进制程多重曝光。多重曝光 Multi-patterning
一次画不够细,就分多次画,像用多张网格拼出更细图案。套刻 Overlay
多层图案之间要精准对齐,像多层地图必须严丝合缝。
刻蚀 Etching
把不需要的材料去掉,留下想要的图形,像雕刻微型城市。干法刻蚀 Dry Etch
用等离子体刻蚀材料,像用“气体刀”雕刻晶圆。湿法刻蚀 Wet Etch
用化学液体腐蚀材料,像用药水洗掉不需要的部分。等离子体 Plasma
被激发的带电气体,刻蚀中像一群高速小刀。选择比 Selectivity
刻蚀时只刻目标材料、不伤其他材料的能力,像只切蛋糕不切盘子。各向异性刻蚀 Anisotropic Etch
主要往垂直方向刻,像笔直往下挖井。各向同性刻蚀 Isotropic Etch
各个方向都会刻,像水滴向四周扩散。残胶 Residue
工艺后残留的胶或杂质,像施工后留下的灰尘。刻蚀停止层 Etch Stop Layer
防止刻蚀过头的保护层,像挖地时提前埋好的警戒板。沟槽 Trench
晶圆上刻出来的凹槽,后续可填入材料形成结构。
沉积 Deposition
在晶圆上覆盖一层材料,像给地面铺一层新材料。薄膜 Thin Film
晶圆表面的超薄材料层,可能是金属、绝缘体或半导体。CVD 化学气相沉积
用气体反应生成薄膜,像让材料“长”在晶圆表面。PVD 物理气相沉积
把材料打出来再沉积到晶圆上,像给晶圆喷金属雾。ALD 原子层沉积
一层原子一层原子地沉积,像用原子级刷子刷墙。外延 Epitaxy
在晶圆上继续生长高质量晶体层,像在地基上长出同结构的新楼层。氧化 Oxidation
让硅表面生成二氧化硅,像给硅穿上一层绝缘外衣。氮化 Nitride Deposition
沉积氮化硅等材料,常用于隔离、保护或硬掩膜。介质层 Dielectric Layer
绝缘材料层,像电路之间的隔墙。金属层 Metal Layer
用来连接电路的导电层,像芯片里的道路和电线。
掺杂 Doping
往硅里加入少量杂质,改变导电特性,像给清水加调料改变味道。离子注入 Ion Implantation
把带电原子高速打进硅里,像用“原子子弹”改造材料。扩散 Diffusion
掺杂原子在高温下扩散进入硅中,像墨水慢慢渗进纸里。退火 Annealing
高温处理修复晶格损伤并激活掺杂,像金属加工后的回火。快速热退火 RTA
短时间快速加热,像快速烘烤让材料恢复状态。离子束 Ion Beam
用来注入或加工材料的离子流,像微型粒子喷枪。阈值电压 Vt
晶体管开始导通所需电压,像水龙头打开需要的力度。结 Junction
P 型和 N 型区域交界处,是很多器件工作的关键边界。漏电 Leakage
晶体管关着时仍有小电流流过,像水龙头没关紧还滴水。击穿 Breakdown
电压太高导致材料失效,像水压太大把管道冲破。
互连 Interconnect
芯片内部连接晶体管的线路,像城市交通网。铜互连 Copper Interconnect
用铜做芯片内部连线,导电性能好。铝互连 Aluminum Interconnect
早期常用金属互连材料,部分成熟制程仍可见。通孔 Via
连接不同金属层的小孔,像楼层之间的电梯井。接触孔 Contact
晶体管与金属层之间的连接孔,像楼房接入道路的入口。低 k 介质 Low-k Dielectric
降低线路之间电容的绝缘材料,像减少道路之间互相干扰。阻挡层 Barrier Layer
防止金属扩散的材料层,像防止水管漏水的内衬。种子层 Seed Layer
电镀金属前先铺的一层薄金属,像种庄稼前先铺好土壤。电镀 Electroplating
用电化学方式填充铜,像把金属“长”进沟槽里。双镶嵌 Damascene
先挖沟和孔,再填铜形成线路,像先挖路槽再浇铜路。
CMP 化学机械抛光
把晶圆表面磨平,像给地面打磨找平。平坦化 Planarization
让晶圆表面更平整,方便继续叠下一层。清洗 Cleaning
去除颗粒、金属污染和化学残留,像给晶圆洗澡。颗粒 Particle
晶圆上的微小灰尘,可能毁掉芯片,像地图上掉了一粒沙子却挡住道路。污染 Contamination
不该出现的杂质,会影响芯片性能和良率。缺陷 Defect
制造中的错误点,比如断线、短路、颗粒、图形偏差。刮伤 Scratch
晶圆表面的划痕,像精密玻璃上被划了一道。空洞 Void
材料内部没有填满形成的空隙,像墙里有气泡。桥连 Bridge
两条不该连的线连在一起,像两条马路错误打通导致短路。断线 Open
该连的线路断了,像道路中间断桥。
量测 Metrology
测量尺寸、厚度、形貌等参数,像给晶圆做精密体检。检测 Inspection
找缺陷和异常,像用显微镜查施工质量。CD 关键尺寸
图形中最关键的线宽或间距,像城市道路最窄处的宽度。膜厚 Thickness
薄膜层的厚度,必须控制得非常精确。良率 Yield
做出来的芯片里有多少是合格的,良率越高,成本越低。晶圆测试 Wafer Probe
晶圆还没切割前先测试每颗芯片,像考试前先批改每个小格子。缺陷密度 Defect Density
单位面积内有多少缺陷,越低越好。SPC 统计过程控制
用数据监控生产是否稳定,像工厂里的健康监测系统。洁净室 Cleanroom
超干净的生产环境,空气里的灰尘数量被严格控制。黄光区 Yellow Room
光刻区域常用黄光,避免普通光影响光刻胶,像给感光材料准备的安全灯环境。
一句话理解:晶圆制造就是在一片硅片上“微缩盖城市”:晶体管是楼房,金属互连是道路,光刻是画地图,刻蚀是雕刻地形,沉积是铺材料,掺杂是改变土地性质,CMP 是把地面磨平,检测和良率决定这座微型城市能不能正常运行。
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