北京
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制造方法”的专利，公开号CN122294662A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包含一永久衬底、一外延复合层、一上部电极及一上部欧姆接触层。其中，外延复合层，有发光波段为1100～1700纳米(nm)的一发光层，设置于永久衬底上。上部电极设置于外延复合层上，电性连接至外延复合层。上部欧姆接触层夹置于上部电极与外延复合层之间，上部欧姆接触层与上部电极之间形成欧姆接触且二者具有一相同截面水平宽度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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