6月24日,A股存储芯片板块再度爆发。截至收盘,科创50大幅走高涨3.82%,先进封装、存储芯片方向领涨全场。个股方面,汇成股份、长电科技、太极实业、兆易创新、雅克科技等多股强势涨停。场内ETF方面,芯片ETF广发(159801)最高涨超5%,科创芯片设计ETF广发(589210)、科创芯片ETF广发(589160)盘中涨超3%。
消息面上,软银集团董事长孙正义在股东大会上表示,旗下Arm将从芯片设计者进化为芯片提供者并亲自参与制造;台积电已通知客户调涨晶圆代工价格,7nm及以下先进制程整体涨幅约5%至10%;三星电子和SK海力士建立新半导体集群的计划进入最后讨论阶段,SK海力士计划将龙仁第四座工厂完工时间从2044年大幅提前至2034年。
6月以来,存储芯片概念已多次掀起涨停潮,6月9日板块大涨5.64%,获主力资金净流入163.41亿元;6月17日板块再涨4.02%,获主力资金净流入159.45亿元。存储芯片,这个曾被视作“半导体周期品”的赛道,正在AI时代完成一场前所未有的身份跃迁。
从“季度谈”到“月度调”,存储价格正在失控
存储芯片的价格涨幅,已经超出了绝大多数人的预期。
DRAM价格从2025年三季度到2026年二季度涨了约4.5倍。市场研究机构Sigmaintell(群智咨询)最新报告显示,2026年第二季度消费性DRAM与NAND价格全面走高,LPDDR5X 12GB内存颗粒价格较第一季度大涨89%,LPDDR4X 4GB上涨75%,SSD均价上涨约50%,UFS闪存涨幅最高达100%。LPDDR5X 96Gb(12GB)单颗成本已从第一季度的77.1美元跃升至第二季度的145.9美元,一季之内近乎翻倍。
更惊人的是今年上半年的累积涨幅。据集邦咨询数据,2026上半年NOR Flash合约价平均累积涨幅达100%至120%,单层单元NAND闪存涨幅达130%至150%。招商证券指出,二季度合约价预计环比增幅仍有60%。
对于下半年,机构的分歧在于“涨多少”而非“涨不涨”。金融公司Aletheia Capital预计三季度DRAM均价上涨30%,四季度再涨10%至15%。Jefferies的判断则更为激进,认为三季度存储价格环比涨幅可能高达40%至50%,四季度再涨30%至40%。华泰证券指出,HBM下半年采购成本或再涨超50%。
涨价的根源在供给端。
据TrendForce数据,2026年一季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,一般型DRAM合约价环比提升93%至98%,NAND Flash合约价环比提升85%至90%。长城证券指出,二季度DRAM合约价预计仍将环增58%至63%,NAND合约价将环增70%至75%。
三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM,但HBM产能缺口仍达50%至60%。杰富瑞报告指出,若不计中国厂商,2026年全球存储bit supply预计仅增长7%至8%,主要来自制程迁移,而非新增晶圆产能。DRAM和NAND合计供应缺口可能达到每月15万至20万片晶圆。
AI需求重塑:存储从“配套”变“核心”
本轮存储行情与过往任何一轮周期都不同。
据IDC数据,全球DRAM营收在2025年突破1500亿美元后,预计2026年市场有望增至5607亿美元以上,同比增长272%;NAND营收也有望从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元,同比增长331%。
服务器正逐步超越手机成为存储需求最主要的市场。2026年服务器DRAM占比预计将超过50%,服务器NAND Bit需求预计大增超60%并首次成为最大应用。伯恩斯坦最新报告指出,存储正从“周期品”演化为AI“战略资源”。
国信证券发布研报称,AI需求推升存储需求,海外原厂聚焦高附加值服务器产品,需求外溢及国产化需求打开国内企业级窗口。存储已不再是单纯的算力配套资源,而是成为决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。
供给短缺为国产存储打开了前所未有的窗口期。据Counterpoint统计,42家国证存储芯片指数成分股平均营业收入增长率为79.78%,13家公司增速超100%。德明利以增速502.08%位列第一;受益于涨价,平均净利润同比增长率607.04%。
云厂商“锁货”加剧供应紧张
下游云厂商的行动进一步锁死了供给弹性。
亚马逊、微软、谷歌及国内头部云厂商已签订3至5年长期协议,锁定2026至2028年HBM、DRAM及大容量硬盘产能。杰富瑞报告指出,云服务商已与存储厂商签署两年期长期供货协议,并支付约40%的预付款。这些长期协议目前占用约50%的行业产能,未来可能升至70%。
分析人士指出,长期协议使存储厂商获得超过三年的需求能见度,有助于抑制价格剧烈波动、支撑利润率稳定。但也意味着,即便价格继续上涨,可售给现货市场的产能越来越少,进一步加剧了现货市场的供需失衡。
多家机构对存储板块后市表达积极看法。
高盛在5月底长达41页的研报中扔出大胆结论:2027年DRAM、NAND和HBM的供需紧张程度会比2026年更甚,将延续至2028年。摩根士丹利研报指出,受AI数据中心需求持续增长推动,硬盘及存储全产业链供需紧张程度超出预期,短缺局面或至少持续至2028年,打破此前“2027年缓解”的预期。
中原证券中期策略称,2026年一季度起半导体产业链迎来全面涨价潮,涨价已从存储蔓延至晶圆代工、封测、CPU、模拟、功率器件等环节。招商证券表示,当前存储景气周期持续,原厂多年期扩产计划稳步推进,存储供需紧缺或将持续存在。
不过,券商研报也指出,板块风险同样不容忽视。一方面,DRAM从2025年三季度至今涨了约4.5倍,任何需求端或供给端的边际变化都可能引发价格回调。Aletheia Capital与Jefferies对三季度涨幅的预测相差10至20个百分点,分歧本身就意味着不确定性。
另一方面,业绩兑现节奏存在差异。存储模组和封测环节的业绩弹性与上游原厂不同。部分公司股价已充分反映涨价预期,但实际业绩释放可能存在时滞。此外,存储芯片涉及先进制程设备和材料进口,地缘政治变动可能影响国内存储厂商的扩产节奏。
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