中欣晶圆申请降低硅片翘曲系统相关专利，降低半导体硅片翘曲度，精确检测调整

来源：新浪证券-红岸工作室

6月24日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法”的专利。申请公布号为CN122270106A，申请号为CN202610191045.4，申请公布日期为2026年6月23日，申请日期为2026年2月10日，发明人吴瑶，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号H10P72/76、H10P72/00、G01B11/24。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法，涉及半导体技术领域，本发明包括反应腔体，所述反应腔体内壁铰接有门板，所述反应腔体内部设置有放置机构，所述反应腔体内部设置有清洁机构，所述反应腔体内部设置有吹气机构，本发明通过打开门板，将硅片放置于若干顶针顶部，放置过程中，硅片外侧挤压放置台，推动限位板沿轴体移动并压缩第一弹簧，第一弹簧的反作用力使放置台对硅片四周形成柔性限位，防止其在工艺气流中偏移，随后启动液压器，使激光扫描器下降并对硅片进行全表面扫描，精确检测翘曲数据，例如，当检测到某区域上翘三毫米时，外部处理器计算得出需将该区域下对应顶针降低两毫米以顺应形变。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息468条，拥有行政许可23个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军2LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌3减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群4一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨5一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力6基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱7一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶8针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦9CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖10用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪11基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁12一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰13改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀14通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会15一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺16针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东17提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀18一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳19检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧20一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群21一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃22降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏23一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智24一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠25一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽26一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛27一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东28一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰29基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红30一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎31一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博32一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮33颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌34转品名自动核对的技术方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖35针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮36一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳37一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏38一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊39基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜40采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏41基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉42针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞43一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌44一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511831114.52025-12-06CN121908853A2026-04-21郭体强、齐旭东45硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮46区分PV型与PI型硅片的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋47预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领48铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋49降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓50用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇