6月23日,三星电子宣布,已开发出通用闪存存储(UFS)5.0产品。其基于第九代V-NAND(V9)闪存技术开发而成,特点是针对端侧AI进行了优化。其数据传输带宽为10.8 GB/s,顺序读取速度为10.8 GB/s,顺序写入速度为9.5 GB/s。与上一代UFS 4.1相比,UFS 5.0的传输带宽提升了一倍,能够快速处理海量数据。
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