长光华芯、长光华芯研究院申请色散能带处理相关专利，兼容结构测试，减少误差，提高测试准确度

来源：新浪证券-红岸工作室

6月23日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“色散能带图的处理方法、装置及应用其的角分辨系统”的专利。申请公布号为CN122243737A，申请号为CN202610568837.9，申请公布日期为2026年6月19日，申请日期为2026年4月28日，发明人孙方圆、肖垚、王俊、俞浩，专利代理机构北京商专润文专利代理事务所（普通合伙），专利代理师王祖悦，分类号G06T3/4038、G06T3/4007。

专利摘要显示，本申请公开了色散能带图的处理方法、装置及应用其的角分辨系统，该方法包括：对待处理图像进行非线性标定；检测图像拼接段数量；对图像拼接段进行对齐；将图像拼接段进行拼接与重构，得到整体图像。本申请公开的色散能带图的处理方法、装置及应用其的角分辨系统，能够兼容无有源区的光子晶体结构和包含有源区的光子晶体结构的色散能带测试；通过非线性标定处理，显著减少大角度区域的测量误差；通过图像拼接段数量检测和对齐处理，降低图像拼接的误差；能够实现多段能带结构测试数据的拼接和重建，提高测试的准确度。

长光华芯成立于2012年3月6日，于2022年4月1日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省苏州市。它是国内高功率半导体激光芯片领军企业，专注激光芯片研发制造，技术实力领先。

长光华芯主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及光芯片、医疗美容、商业航天等概念板块。

2025年，长光华芯实现营业收入4.77亿元，在行业18家公司中排名第14，远低于第一名*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。其主营业务中，高功率单管系列营收3.86亿元，占比80.90%。当期净利润2291.65万元，行业排名13/18，与第一名扬杰科技的12.45亿元和第二名捷捷微电的4.76亿元差距明显，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。

苏州长光华芯光电技术股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1色散能带图的处理方法、装置及应用其的角分辨系统发明专利公布CN202610568837.92026-04-28CN122243737A2026-06-19孙方圆、肖垚、王俊、俞浩2边发射半导体激光器芯片及其制备方法和失效分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610560437.32026-04-27CN122092052A2026-05-26邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇3半导体激光器及其封装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610413710.X2026-03-31CN121939217A2026-04-28张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、肖垚、张建4产生一维光斑阵列的设备及产生二维光斑阵列的设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610379317.32026-03-26CN121922974A2026-04-24俞浩、许永博、王俊5一种实现激光匀化光斑的光学装置及激光系统发明专利授权CN202610255969.62026-03-04CN121763582B2026-05-26宋玲玲、俞浩、莫亚娟、戈畅畅、王俊6集成光栅的半导体发光结构及其制备方法发明专利授权CN202610069647.22026-01-20CN121546423B2026-05-19谭少阳、王俊、吴承坤、李刘晶、赵武、肖垚、邵烨、闵大勇7半导体结构的制备方法发明专利授权CN202610031609.82026-01-12CN121484637B2026-05-12赵武、罗晨、王俊、李刘晶、李顺峰8光学系统的光斑畸变校正方法、光学系统、装置及电子设备发明专利授权CN202512052281.62025-12-31CN121432706B2026-03-24宋玲玲、俞浩、王俊9半导体激光器及其制备方法发明专利授权CN202512034833.02025-12-31CN121440356B2026-05-15王俊、章宇航、赵武、闵大勇10液环真空泵叶轮拆解、组装一体通用工装治具及其使用方法发明专利公布CN202511496469.32025-10-20CN120962570A2025-11-18严柏林、王俊、李波、肖啸、赵武、闵大勇11一种基于多视向断面图像的三维重构方法和制备方法发明专利授权、实质审查的生效CN202511324100.42025-09-17CN120852676B2025-12-02王俊、李龙基、肖垚、孙正明、张燕、李刘晶、赵武、孙方圆、宋木、罗晨12半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510615963.02025-05-14CN120127504B2025-07-25王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、肖垚、李泉灵、闵大勇13量子级联发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510533789.52025-04-27CN120073480B2025-08-05詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇14一种半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510421116.02025-04-07CN119965677B2025-06-27李泉灵、王俊、程洋、赵武、闵大勇15一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510329278.12025-03-20CN119834061B2025-07-01王俊、肖垚、李泉灵、高元斌、张昊、刘恒、苗霈、陆兴东、赵武16高速率高效率低成本的半导体光通信器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510233978.02025-02-28CN120149950A2025-06-13王俊、肖垚、陆兴东、高元斌、刘恒、苗霈、李泉灵17一种半导体器件的表面处理设备及其方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510230234.32025-02-28CN119747316B2025-06-17李泉灵、王俊、李波、周立、谭少阳、杨杰、闵大勇18一种外延片层的厚度测量方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510207800.92025-02-25CN119687839B2025-07-08杨文帆、王俊、程洋、詹文博、赵武、李婷、闵大勇19半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510193767.92025-02-21CN119726361B2025-05-23张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、杨文帆、李婷、闵大勇20测试样品及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510181379.92025-02-19CN119666508B2025-06-03王俊、张燕、肖垚、李顺峰、宋木、李刘晶、赵武、苟于单、张弘、李泉灵21半导体光子晶体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510134531.82025-02-07CN119581993B2025-06-03王俊、罗晨、肖垚、李顺峰、李刘晶、李泉灵、闵大勇、邓国亮、周昊22一种高可靠性半导体激光器阵列封装结构制备夹具及应用其的封装结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510106803.32025-01-23CN119525640B2025-05-30靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵23多结垂直腔面发射激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510073864.42025-01-17CN119496042B2025-04-15苗霈、王俊、刘恒、肖垚、闵大勇、李泉灵24一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510072590.72025-01-17CN119542923B2025-04-18靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李婷25一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411962956.X2024-12-30CN119381893B2025-04-18刘恒、高元斌、王俊、郭帅、苗霈、肖垚、闵大勇、李泉灵26半导体发光结构及其制备方法和测试方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411886875.62024-12-20CN119362143B2025-04-11王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇、邓国亮、张弘、苟于单27半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884893.02024-12-20CN119362152B2025-04-11邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇28模式调控半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884395.62024-12-20CN119362145B2025-04-15王俊、朱立宏、谭少阳、刘武灵、邵烨、闵大勇、邓国亮、周昊、李泉灵29半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884880.32024-12-20CN119340781B2025-04-15周立、靳嫣然、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵30半导体刻蚀方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202411874116.82024-12-19CN119340780A2025-01-21李刘晶、王俊、赵武、李顺峰、闵大勇31应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411844952.12024-12-16CN119342954A2025-01-21郭银涛、王俊、张志成、肖垚、詹文博、李泉灵、闵大勇32半导体激光器材料的校验方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411832991.X2024-12-13CN119315373B2025-03-25詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇33半导体激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411823655.92024-12-12CN119297725B2025-03-14张宇昆、王俊、周立、靳嫣然、胡燚文、闵大勇34半导体激光器及半导体激光器的制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202411678459.72024-11-22CN119182046A2024-12-24王予晓、谭少阳、王俊、邵烨、李刘晶35半导体结构的生长方法发明专利授权、公布CN202411595147.X2024-11-11CN119101988B2025-04-11王骄、王俊、郭银涛、李恺、夏明月36一种半导体激光器薄膜复合结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411580010.72024-11-07CN119070132B2025-02-28杨文帆、李泉灵、王俊、闵大勇37一种波长锁定的半导体激光器发明专利授权、公布CN202411489646.02024-10-24CN119009666B2025-04-04裘利平、俞浩、刘晓雷、谭少阳、王俊38光学波导器件端面的镀膜方法、光学波导器件及掩膜陪条发明专利授权、公布CN202411428095.72024-10-14CN118932284B2025-01-28赵武、王俊、程洋、李波、钱晨灏39半导体激光器合束装置发明专利授权、公布CN202411426017.32024-10-14CN118943888B2025-02-25孙方圆、俞浩、王俊40半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411328037.72024-09-24CN118867837B2025-02-07李恺、夏明月、王俊、肖啸、郭银涛、程洋41半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、公布CN202411266378.62024-09-11CN118783244B2025-02-07夏明月、王俊、郭银涛、程洋、肖啸42一种半导体结构的减薄方法发明专利授权、公布CN202411205903.32024-08-30CN118737823B2024-12-06金峰、赵武、王俊、李丰、杨文帆43检测系统和检测方法发明专利授权、公布CN202411154623.42024-08-22CN118670690B2025-02-07孙方圆、王俊、俞浩44自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备发明专利授权、公布CN202411118875.12024-08-15CN118646174B2024-12-31杨火木、陈玉超、邓国亮、王俊、苟于单、周昊、张弘、周寿桓、李泉灵45一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法发明专利授权、公布CN202411085164.92024-08-08CN118610892B2024-11-15高元斌、郭帅、王俊、刘恒、肖垚、苗霈46一种半导体激光器发明专利授权、公布CN202410782544.12024-06-18CN118367438B2024-10-01田锟、谭少阳、王俊、肖垚47量子级联发光结构的形成方法发明专利授权、公布CN202410748625.X2024-06-12CN118336519B2024-11-19王俊、罗晓玥、程洋、章宇航、钱晨灏、赵武、孙方圆48脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质发明专利授权、公布CN202410734452.62024-06-07CN118316394B2024-11-12杨火木、陈玉超、邓国亮、王俊、苟于单、周昊、张弘、周寿桓、李泉灵49一种半导体发光结构的制备方法发明专利授权、公布CN202410725721.22024-06-06CN118299930B2024-09-17赵武、王俊、谭少阳、程洋、刘武灵50半导体材料生长速率的测试方法发明专利授权、公布CN202410591470.32024-05-14CN118168882B2024-10-11王俊、张钒璐、李顺峰、赵武、杨文帆

天眼查数据显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司成立日期2018年3月8日，法定代表人闵大勇，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为小型，注册资本20500万人民币，实缴资本20500万人民币，注册地址为苏州市高新区漓江路56号1幢（A区）。苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息213条，拥有行政许可38个。

苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1色散能带图的处理方法、装置及应用其的角分辨系统发明专利公布CN202610568837.92026-04-28CN122243737A2026-06-19孙方圆、肖垚、王俊、俞浩2边发射半导体激光器芯片及其制备方法和失效分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610560437.32026-04-27CN122092052A2026-05-26邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇3半导体激光器及其封装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610413710.X2026-03-31CN121939217A2026-04-28张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、肖垚、张建4产生一维光斑阵列的设备及产生二维光斑阵列的设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610379317.32026-03-26CN121922974A2026-04-24俞浩、许永博、王俊5一种实现激光匀化光斑的光学装置及激光系统发明专利授权CN202610255969.62026-03-04CN121763582B2026-05-26宋玲玲、俞浩、莫亚娟、戈畅畅、王俊6集成光栅的半导体发光结构及其制备方法发明专利授权CN202610069647.22026-01-20CN121546423B2026-05-19谭少阳、王俊、吴承坤、李刘晶、赵武、肖垚、邵烨、闵大勇7半导体结构的制备方法发明专利授权CN202610031609.82026-01-12CN121484637B2026-05-12赵武、罗晨、王俊、李刘晶、李顺峰8光学系统的光斑畸变校正方法、光学系统、装置及电子设备发明专利授权CN202512052281.62025-12-31CN121432706B2026-03-24宋玲玲、俞浩、王俊9半导体激光器及其制备方法发明专利授权CN202512034833.02025-12-31CN121440356B2026-05-15王俊、章宇航、赵武、闵大勇10液环真空泵叶轮拆解、组装一体通用工装治具及其使用方法发明专利公布CN202511496469.32025-10-20CN120962570A2025-11-18严柏林、王俊、李波、肖啸、赵武、闵大勇11一种基于多视向断面图像的三维重构方法和制备方法发明专利授权、实质审查的生效CN202511324100.42025-09-17CN120852676B2025-12-02王俊、李龙基、肖垚、孙正明、张燕、李刘晶、赵武、孙方圆、宋木、罗晨12半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510615963.02025-05-14CN120127504B2025-07-25王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、肖垚、李泉灵、闵大勇13量子级联发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510533789.52025-04-27CN120073480B2025-08-05詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇14一种半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510421116.02025-04-07CN119965677B2025-06-27李泉灵、王俊、程洋、赵武、闵大勇15一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510329278.12025-03-20CN119834061B2025-07-01王俊、肖垚、李泉灵、高元斌、张昊、刘恒、苗霈、陆兴东、赵武16高速率高效率低成本的半导体光通信器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510233978.02025-02-28CN120149950A2025-06-13王俊、肖垚、陆兴东、高元斌、刘恒、苗霈、李泉灵17一种半导体器件的表面处理设备及其方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510230234.32025-02-28CN119747316B2025-06-17李泉灵、王俊、李波、周立、谭少阳、杨杰、闵大勇18一种外延片层的厚度测量方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510207800.92025-02-25CN119687839B2025-07-08杨文帆、王俊、程洋、詹文博、赵武、李婷、闵大勇19半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510193767.92025-02-21CN119726361B2025-05-23张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、杨文帆、李婷、闵大勇20测试样品及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510181379.92025-02-19CN119666508B2025-06-03王俊、张燕、肖垚、李顺峰、宋木、李刘晶、赵武、苟于单、张弘、李泉灵21半导体光子晶体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510134531.82025-02-07CN119581993B2025-06-03王俊、罗晨、肖垚、李顺峰、李刘晶、李泉灵、闵大勇、邓国亮、周昊22一种高可靠性半导体激光器阵列封装结构制备夹具及应用其的封装结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510106803.32025-01-23CN119525640B2025-05-30靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵23一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510072590.72025-01-17CN119542923B2025-04-18靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李婷24一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411962956.X2024-12-30CN119381893B2025-04-18刘恒、高元斌、王俊、郭帅、苗霈、肖垚、闵大勇、李泉灵25半导体发光结构及其制备方法和测试方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411886875.62024-12-20CN119362143B2025-04-11王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇、邓国亮、张弘、苟于单26半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884893.02024-12-20CN119362152B2025-04-11邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇27模式调控半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884395.62024-12-20CN119362145B2025-04-15王俊、朱立宏、谭少阳、刘武灵、邵烨、闵大勇、邓国亮、周昊、李泉灵28半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884880.32024-12-20CN119340781B2025-04-15周立、靳嫣然、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵29半导体刻蚀方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202411874116.82024-12-19CN119340780A2025-01-21李刘晶、王俊、赵武、李顺峰、闵大勇30应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411844952.12024-12-16CN119342954A2025-01-21郭银涛、王俊、张志成、肖垚、詹文博、李泉灵、闵大勇31半导体激光器材料的校验方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411832991.X2024-12-13CN119315373B2025-03-25詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇32半导体激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411823655.92024-12-12CN119297725B2025-03-14张宇昆、王俊、周立、靳嫣然、胡燚文、闵大勇33半导体激光器及半导体激光器的制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202411678459.72024-11-22CN119182046A2024-12-24王予晓、谭少阳、王俊、邵烨、李刘晶34半导体结构的生长方法发明专利授权、公布CN202411595147.X2024-11-11CN119101988B2025-04-11王骄、王俊、郭银涛、李恺、夏明月35一种半导体激光器薄膜复合结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411580010.72024-11-07CN119070132B2025-02-28杨文帆、李泉灵、王俊、闵大勇36一种波长锁定的半导体激光器发明专利授权、公布CN202411489646.02024-10-24CN119009666B2025-04-04裘利平、俞浩、刘晓雷、谭少阳、王俊37光学波导器件端面的镀膜方法、光学波导器件及掩膜陪条发明专利授权、公布CN202411428095.72024-10-14CN118932284B2025-01-28赵武、王俊、程洋、李波、钱晨灏38半导体激光器合束装置发明专利授权、公布CN202411426017.32024-10-14CN118943888B2025-02-25孙方圆、俞浩、王俊39半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411328037.72024-09-24CN118867837B2025-02-07李恺、夏明月、王俊、肖啸、郭银涛、程洋40半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、公布CN202411266378.62024-09-11CN118783244B2025-02-07夏明月、王俊、郭银涛、程洋、肖啸41一种半导体结构的减薄方法发明专利授权、公布CN202411205903.32024-08-30CN118737823B2024-12-06金峰、赵武、王俊、李丰、杨文帆42检测系统和检测方法发明专利授权、公布CN202411154623.42024-08-22CN118670690B2025-02-07孙方圆、王俊、俞浩43一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法发明专利授权、公布CN202411085164.92024-08-08CN118610892B2024-11-15高元斌、郭帅、王俊、刘恒、肖垚、苗霈44一种半导体激光器发明专利授权、公布CN202410782544.12024-06-18CN118367438B2024-10-01田锟、谭少阳、王俊、肖垚45量子级联发光结构的形成方法发明专利授权、公布CN202410748625.X2024-06-12CN118336519B2024-11-19王俊、罗晓玥、程洋、章宇航、钱晨灏、赵武、孙方圆46一种半导体发光结构的制备方法发明专利授权、公布CN202410725721.22024-06-06CN118299930B2024-09-17赵武、王俊、谭少阳、程洋、刘武灵47半导体材料生长速率的测试方法发明专利授权、公布CN202410591470.32024-05-14CN118168882B2024-10-11王俊、张钒璐、李顺峰、赵武、杨文帆48高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法发明专利授权、公布CN202410534321.32024-04-30CN118112399B2024-07-12王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇49一种偏振光VCSEL及其制备方法发明专利授权、公布CN202410494068.32024-04-24CN118099935B2024-07-05刘恒、王俊、郭帅、肖垚、高元斌、苗霈50一种低翘曲半导体激光器及其制备方法发明专利授权、公布CN202410453049.62024-04-16CN118073959B2024-07-05杨文帆、赵武、王俊