北京
国家知识产权局信息显示，广东先导稀材股份有限公司申请一项名为“一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN122248749A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种P‑GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法，减少刻蚀时势垒层的损伤，阻挡P‑GaN层中Mg元素向势垒层的扩散，降低导通电阻增大的风险，制备方法包括：在衬底层上依次外延生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和钝化层；通过图形化技术显露出栅区域，将栅区域的钝化层刻蚀，显露出势垒层；在表面上依次外延生长UID‑GaN层和P‑GaN层；通过图形化技术显露出栅外区域，将栅外区域的UID‑GaN层和P‑GaN层刻蚀，显露出钝化层；通过图形化技术显露出栅区域，在栅区域表面沉积金属层，金属层在P‑GaN层上形成栅极；通过图形化技术显露出源极区域和漏极区域，将源极区域和漏极区域的钝化层刻蚀，显露出势垒层，在势垒层上制作源极和漏极，属于半导体器件技术领域。
天眼查资料显示，广东先导稀材股份有限公司，成立于2003年，位于清远市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本37676.6226万人民币。通过天眼查大数据分析，广东先导稀材股份有限公司共对外投资了59家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息353条，此外企业还拥有行政许可352个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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