北京
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“硅光电倍增管及成像系统”的专利，公开号CN122180169A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开涉及硅光电倍增管及成像系统。公开了一种硅光电倍增管(SiPM)。该SiPM包括耦合到该SiPM的求和节点的多个微单元。该多个微单元中的每个微单元包括单光子雪崩二极管以及与该单光子雪崩二极管串联耦合的被动猝灭器件。该多个微单元中的每个微单元还包括电流镜，该电流镜被配置为基于来自该单光子雪崩二极管的电流而生成微单元输出电流。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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