北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“CIS的金属线形成方法”的专利，公开号CN122161434A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种CIS的金属线形成方法，包括：在第一金属层上形成硬掩模层，第一金属层形成于第二金属层上；采用图形掩模版进行光刻，在硬掩模层上形成第一光刻胶图形，目标区域的硬掩模层暴露；以第一光刻胶图形为掩模进行第一次干法刻蚀，刻蚀至目标区域的硬掩模层中的预定深度，第一次干法刻蚀后第一光刻胶图形被去除；采用相同图形掩模版进行光刻，在剩余硬掩模层上形成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形和剩余硬掩模层为掩模进行第二次干法刻蚀，直至目标区域中第二金属层暴露，在第二次干法刻蚀过程中，第二光刻胶图形产生的反应副产物保护第一金属层被刻蚀暴露的区域。本申请有利于避免过刻蚀时间延长下的金属线底部侧向钻蚀问题。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2948次，专利信息2045条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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