北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器件”的专利，公开号CN122161092A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，根据本公开的实施例的存储器件可以包括：字线，其埋入衬底中并沿第一方向延伸；位线接触件，其设置在字线之间，与衬底的有源区接触，并且具有在垂直于第一方向的第二方向上朝向中心凹陷的至少一部分侧表面；栅极覆盖层，其包括与字线的上表面接触的第一覆盖部分和位于第一覆盖部分上的第二覆盖部分，第二覆盖部分在第二方向上与位线接触件的侧表面的至少一部分重叠，并且其宽度与第一覆盖部分的宽度不同。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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