北京
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国家知识产权局信息显示，超威半导体公司申请一项名为“混合键合的倒置存储器-逻辑部件堆叠”的专利，公开号CN122162513A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，存储器层和数字器件层被配置成三维集成电路（IC）管芯堆叠。数字器件层（304）具有最靠近冷却解决方案（308）定位的第一表面（侧），并且存储器层定位在数字器件层的与其第一表面（侧）相反的第二表面（侧）上。冷却解决方案适于接收并耗散来自数字器件层（304）和存储器层（302）的热量。穿过存储器层延行并到达数字器件层的贯穿硅通孔（TSV）（314）用于将信号、控制和电源供电电压互连到这些层中的电路。TSV中的一些TSV用于耦合到存储器堆叠器件的外部连接。数字器件层可以是复杂的电子器件层诸如微处理器或微控制器，以用于改进高速信号传递。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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