中科鑫圆等3家公司共同申请锗晶片清洗法相关专利，优化工艺参数抑制锗晶片外延水纹缺陷

来源：新浪证券-红岸工作室

6月6日消息，国家知识产权局信息显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司申请一项名为“一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法”的专利。申请公布号为CN122161361A，申请号为CN202610158831.4，申请公布日期为2026年6月5日，申请日期为2026年2月4日，发明人李芳艳、刘汉保、杨春柳、周玲娟、柳廷龙、韦华、王顺金、赵友鹏，专利代理机构昆明祥和知识产权代理有限公司，专利代理师唐德林，分类号H10P70/00、H10P72/00。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，特别涉及一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法，包括以下步骤：晶片放置、酒精冲洗、去离子水冲洗、碱性溶液冲洗、晶片干燥，通过协同控制主轴转速、药液、去离子水流量、送风排风风速，并特别设定最后一次水阀关闭后到启动甩干程序之间的间隔时间，使得晶片表面附着液膜的形态和厚度得到有效调控，从而在甩干时能更均匀、快速地脱离表面，避免因局部液膜残留或干燥不均而形成水纹。该方法直接集成于现有自动清洗设备中，无需改变硬件结构，仅通过工艺参数优化即可显著提升锗晶片外延前的表面质量，具有良好的工业应用价值。

天眼查数据显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司成立日期2008年6月13日，法定代表人惠峰，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为小型，注册资本32645.804万人民币，实缴资本22645.804万人民币，注册地址为云南省昆明市高新区马金铺魁星街666号。云南中科鑫圆晶体材料有限公司共对外投资了0家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息90条，拥有行政许可16个。

云南中科鑫圆晶体材料有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1锑化铟短晶棒高效自动拼接系统发明专利公布CN202610302154.92026-03-12CN122125818A2026-06-02韩家贤、唐开华、孔有航、刘汉保、韦华、柳廷龙、李世强、骆金秋、柳廷芳、桂丽娇、柳明刚、杨雄兵、彭明周、束本文、王顺金2一种具有高稳定性氧化态表面特性的锗晶片清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610207151.72026-02-12CN122069956A2026-05-19廖浪、魏海龙、韦华、刘汉保、柳廷龙、王顺金、周玲娟、何永超、李芳艳3一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法发明专利公布CN202610158831.42026-02-04CN122161361A2026-06-05李芳艳、刘汉保、杨春柳、周玲娟、柳廷龙、韦华、王顺金、赵友鹏4一种基于直径优化与双砂轮分步磨削的锗晶片倒角方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511932664.62025-12-19CN121776985A2026-04-03罗中旭、韦华、马路娥、王怀伟、王顺金、刘汉保、柳廷龙、普世坤、孔维群、王燕琴、柳成梅5降低超薄锗晶片边缘夹持损伤的下蜡装置及方法发明专利公布CN202511905768.82025-12-17CN121649897A2026-03-13牛应硕、权瑞、崔杨洲、王玉海、韦华、刘汉保、税小娟、林作亮、李长林6一种抑制VGF法磷化铟孪晶缺陷的方法发明专利公布CN202511813799.02025-12-04CN121629493A2026-03-10韦华、叶晓达、赵兴凯、韩家贤、王顺金、李娇、柳廷龙、刘汉保、李世强、穆云伟、杨德燕、魏荣贤7一种抑制VGF法磷化铟位错缺陷的方法发明专利公布CN202511813805.22025-12-04CN121629494A2026-03-10韦华、叶晓达、赵兴凯、韩家贤、王顺金、李娇、柳廷龙、刘汉保、李世强、穆云伟、杨德燕、魏荣贤8基于大直径、低缺陷、高均匀性锗单晶生长自适应模糊控温方法发明专利公布CN202511813789.72025-12-04CN121657775A2026-03-13韦华、何永彬、韩家贤、王顺金、刘吉才、唐康中、李长林、柳廷龙、刘汉保、李世强、穆云伟、杨德燕、魏荣贤9具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法发明专利公布CN202511592497.52025-11-03CN121665932A2026-03-13段昌裕、韦华、李晓宏、杨绍楠、孙清、刘汉保、柳廷龙10降低磷化铟晶片划伤的研磨方法发明专利公布CN202511576574.82025-10-31CN121665927A2026-03-13罗中旭、韦华、马路娥、王怀伟、王顺金、刘汉保、普世坤11高表面质量砷化镓晶片的精密加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511362425.12025-09-23CN121335432A2026-01-13牛应硕、韦华、刘汉保、崔杨洲、王玉海、李有云、孔维旗、孙忠勇、韩家贤、权瑞12一种小尺寸砷化镓衬底冲洗装置及清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511218846.72025-08-28CN121237685A2025-12-30权瑞、牛应硕、崔杨洲、王玉海、韦华、刘汉保、张敬波、张旭13一种VB法制备超高纯锗单晶的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510800548.22025-06-16CN120608317A2025-09-09包文瑧、柳廷龙、柳廷华、李荣毅、张成、王顺军、何杰、段鑫敏、陈超、刘吉才、李世强、魏荣贤14一种磷化铟外延片返抛的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510540979.X2025-04-27CN120401021A2025-08-01李晓宏、刘汉保、潘丽萍、梁晓平、陶航、柳廷龙、韦华、李强、濮玉兰、王顺金、李艳婷15一种提高锗金属纯度以降低太阳能电池用锗单晶缺陷的方法发明专利公布CN202510481427.62025-04-17CN120291206A2025-07-11包文瑧、普世坤、何杰、刘吉才、陈超16一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411511798.62024-10-28CN119145039A2024-12-17韦华、叶晓达、赵兴凯、王顺金、韩家贤、孙清、杨春柳、牛应硕、李芳艳、柳廷龙、刘汉保、陈飞宏、李世强、骆金秋17具有稳定磷化铟单晶热场的一体浇筑式发热体实用新型授权CN202422605981.42024-10-28CN223268811U2025-08-26韦华、叶晓达、赵兴凯、王顺金、韩家贤、孙清、杨春柳、牛应硕、李芳艳、柳廷龙、刘汉保、陈飞宏、骆金秋18一种锑化镓多晶的合成系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410739465.22024-06-07CN118600549A2024-09-06王顺金、韦华、韩家贤、李芳艳、唐康中、刘吉才、柳廷龙、刘汉保、赵兴凯、牛应硕、余海龙、张丽萍、骆金秋、黄四江、林作亮19一种锑化镓多晶合成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410245681.12024-03-05CN117947510A2024-04-30黄四江、王美春、尹归、杨海平、殷云川、林作亮、王顺金、刘得伟20一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410245802.22024-03-05CN118087028A2024-05-28黄四江、王美春、王茺、普世坤、尹归、杨海平、殷云川、刘得伟、王顺金、林作亮21晶棒多线切割后的晶片脱胶清洗台实用新型授权CN202420163134.42024-01-23CN221754168U2024-09-24吕欣泽、李国庆、陈飞宏、刘汉保、唐开华、彭兴奎、束本文、王茺、杨德艳22锗晶片清洗装置实用新型授权CN202322951330.62023-11-01CN221754096U2024-09-24杨春柳、李芳艳、周玲娟、赵磊、杨秋云、刘汉保、李世强、韦华、王茺23一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310959314.32023-08-01CN116705593A2023-09-05赵茂旭、刘汉保、韦华、刘建良、杨绍楠、李晓宏、孙清、牛应硕、韩家贤、赵兴凯、王顺金、杨春柳24一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310650628.52023-06-03CN117265636A2023-12-22韩家贤、叶晓达、柳廷龙、王顺金、韦华、赵兴凯、惠峰、刘汉保、黄平、何永彬、王茺、马东升、唐康中、刘吉材25一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310617181.12023-05-29CN116741622A2023-09-12牛应硕、李有云、刘汉保、韦华、杨春柳、赵茂旭、韩家贤26基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310514361.72023-05-09CN116908133A2023-10-20韩家贤、叶晓达、柳廷龙、王顺金、唐康中、赵兴凯、韦华、何永彬、刘吉才、段鑫敏、黄平、刘汉保、桂丽娇27一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310428695.22023-04-20CN116544107A2023-08-04赵磊、魏海龙、杨春柳、阮开科、何孝刚、曹小贵、朱正根、周永健28磷化铟碎片制备多晶的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310385188.52023-04-12CN116555911A2023-08-08赵兴凯、权忠朝、马冬生、叶晓达、柳旭、杨秋云、韦华、韩家贤、王顺金29VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202211444186.02022-11-18CN115771996B2024-03-22包文瑧、何永彬、唐康中、陈学富、刘晋、王顺金、韩家贤30激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211310523.72022-10-25CN115608694A2023-01-17杨春柳、鲁闻华、李有云、刘汉保、韦华、牛应硕、杨杰31VB法制备超高纯多晶锗的方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210829095.22022-07-15CN115233305B2023-06-20包文瑧、柳廷龙、普世坤、刘吉才、何永彬、刘晋32磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法发明专利授权、公布CN202210506067.72022-05-10CN114990697B2023-12-12赵兴凯、邱锋、权忠朝、韦华、叶晓达、柳旭、徐仁勇、刘文斌、韩家贤、王顺金、李国芳33磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法发明专利授权、公布CN202210506066.22022-05-10CN114808130B2023-12-12赵兴凯、邱锋、权忠朝、韦华、叶晓达、柳旭、徐仁勇、刘文斌、韩家贤、王顺金、李国芳34基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210496774.22022-05-09CN115029783B2023-10-03韩家贤、邱锋、许天、惠峰、韦华、赵兴凯、王顺金、柳廷龙、刘汉保、黄平、何永彬、叶晓达35一种用于晶片退火的卡塞装置实用新型授权CN202221065908.72022-05-06CN217134334U2022-08-05杨春柳、邱锋、刘汉保、韦华、韩家贤、郭建新36一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210196199.42022-03-01CN114622272B2023-09-12刘得伟、李宝学、杨涛、尹正雄、赵伟、周安祥、陆贵兵、普世坤37一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210078324.12022-01-24CN116004332B2024-05-10郭建新、刘汉保、韦华、赵磊、吕春富、杨春柳、李国芳38一种零位错P型锗单晶制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202111660623.82021-12-30CN114250503A2022-03-29李宝学、刘得伟、林作亮、李长林、李国芳、黄四江、沙智勇、陆贵兵、普世坤39超薄锗单晶抛光片的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202111680205.52021-12-30CN115527835A2022-12-27韩家贤、韦华、王顺金、吕春富、赵兴凯、杨春柳、李国芳40一种锗晶片清洗水槽实用新型授权CN202123342641.X2021-12-28CN216420554U2022-05-03杨春柳、刘汉保、赵磊、郭建新、吕欣泽41一种晶片切割油的油渣分离装置实用新型授权CN202123342580.72021-12-28CN216704328U2022-06-10王顺金、韩家贤、韦华、赵兴凯、何永彬、杨小瑞、唐康中、柳廷龙、刘汉保、黄平、普世坤、惠峰42一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置实用新型授权CN202123249664.62021-12-22CN217231011U2022-08-19韩家贤、韦华、何永彬、王顺金、吕春富、李国芳、刘吉才、唐康中43一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法发明专利授权、公布CN202111581919.02021-12-22CN114318495B2025-02-18韩家贤、韦华、何永彬、王顺金、吕春富、李国芳、刘吉才、唐康中44一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202111222796.12021-10-20CN113957537B2024-04-30韩家贤、王顺金、韦华、赵兴凯、陈娅君、何永彬、柳廷龙、刘汉保、黄平、陈飞鸿、李国芳45不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202111179012.12021-10-09CN113981523B2024-03-12韩家贤、王顺金、韦华、赵兴凯、何永彬、柳廷龙、刘汉保、黄平、陈飞鸿、李国芳46低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202111065459.62021-09-10CN113913939B2024-02-06王顺金、惠峰、韩家贤、刘汉保、柳廷龙、韦华、普世坤、赵兴凯、何永彬、唐康中、吕春富、鲁闻华、黄平、陈飞宏、李国芳47碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202110911820.62021-08-10CN113564712B2022-05-24黄四江、普世坤、刘得伟、王美春、惠峰、沙智勇、殷云川、尹归、杨海平、王东48一种碳化硅晶体的高温二次退火方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202110459963.82021-04-27CN113174638B2022-06-03黄四江、沙智勇、尹归、刘得伟、段金炽、普世坤、杨海平、王美春、殷云川49一种新型碳化硅粉料合成用的坩埚实用新型授权CN202120557611.12021-03-18CN214406949U2021-10-15黄四江、刘得伟、段金炽、陈诺夫、普世坤、沙智勇、尹归、杨海平、王美春、殷云川、朱念50单晶料管装料及提取装置实用新型授权CN201920444888.62019-04-03CN210012922U2020-02-04黄平、刘汉保、柳廷龙、张朋、张俊岭、包文瑧、高磊、囤国超

天眼查数据显示，云南鑫耀半导体材料有限公司成立日期2013年9月10日，法定代表人包文东，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为小型，注册资本48601.064401万人民币，实缴资本12038.039823万人民币，注册地址为云南省昆明市高新区马金铺魁星街666号2楼。云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息95条，拥有行政许可12个。

云南鑫耀半导体材料有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1锑化铟短晶棒高效自动拼接系统发明专利公布CN202610302154.92026-03-12CN122125818A2026-06-02韩家贤、唐开华、孔有航、刘汉保、韦华、柳廷龙、李世强、骆金秋、柳廷芳、桂丽娇、柳明刚、杨雄兵、彭明周、束本文、王顺金2一种具有高稳定性氧化态表面特性的锗晶片清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610207151.72026-02-12CN122069956A2026-05-19廖浪、魏海龙、韦华、刘汉保、柳廷龙、王顺金、周玲娟、何永超、李芳艳3一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法发明专利公布CN202610158831.42026-02-04CN122161361A2026-06-05李芳艳、刘汉保、杨春柳、周玲娟、柳廷龙、韦华、王顺金、赵友鹏4一种基于直径优化与双砂轮分步磨削的锗晶片倒角方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511932664.62025-12-19CN121776985A2026-04-03罗中旭、韦华、马路娥、王怀伟、王顺金、刘汉保、柳廷龙、普世坤、孔维群、王燕琴、柳成梅5降低超薄锗晶片边缘夹持损伤的下蜡装置及方法发明专利公布CN202511905768.82025-12-17CN121649897A2026-03-13牛应硕、权瑞、崔杨洲、王玉海、韦华、刘汉保、税小娟、林作亮、李长林6一种抑制VGF法磷化铟孪晶缺陷的方法发明专利公布CN202511813799.02025-12-04CN121629493A2026-03-10韦华、叶晓达、赵兴凯、韩家贤、王顺金、李娇、柳廷龙、刘汉保、李世强、穆云伟、杨德燕、魏荣贤7一种抑制VGF法磷化铟位错缺陷的方法发明专利公布CN202511813805.22025-12-04CN121629494A2026-03-10韦华、叶晓达、赵兴凯、韩家贤、王顺金、李娇、柳廷龙、刘汉保、李世强、穆云伟、杨德燕、魏荣贤8基于大直径、低缺陷、高均匀性锗单晶生长自适应模糊控温方法发明专利公布CN202511813789.72025-12-04CN121657775A2026-03-13韦华、何永彬、韩家贤、王顺金、刘吉才、唐康中、李长林、柳廷龙、刘汉保、李世强、穆云伟、杨德燕、魏荣贤9具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法发明专利公布CN202511592497.52025-11-03CN121665932A2026-03-13段昌裕、韦华、李晓宏、杨绍楠、孙清、刘汉保、柳廷龙10降低磷化铟晶片划伤的研磨方法发明专利公布CN202511576574.82025-10-31CN121665927A2026-03-13罗中旭、韦华、马路娥、王怀伟、王顺金、刘汉保、普世坤11高表面质量砷化镓晶片的精密加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511362425.12025-09-23CN121335432A2026-01-13牛应硕、韦华、刘汉保、崔杨洲、王玉海、李有云、孔维旗、孙忠勇、韩家贤、权瑞12一种小尺寸砷化镓衬底冲洗装置及清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511218846.72025-08-28CN121237685A2025-12-30权瑞、牛应硕、崔杨洲、王玉海、韦华、刘汉保、张敬波、张旭13一种VB法制备超高纯锗单晶的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510800548.22025-06-16CN120608317A2025-09-09包文瑧、柳廷龙、柳廷华、李荣毅、张成、王顺军、何杰、段鑫敏、陈超、刘吉才、李世强、魏荣贤14一种磷化铟外延片返抛的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510540979.X2025-04-27CN120401021A2025-08-01李晓宏、刘汉保、潘丽萍、梁晓平、陶航、柳廷龙、韦华、李强、濮玉兰、王顺金、李艳婷15一种提高锗金属纯度以降低太阳能电池用锗单晶缺陷的方法发明专利公布CN202510481427.62025-04-17CN120291206A2025-07-11包文瑧、普世坤、何杰、刘吉才、陈超16一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411511798.62024-10-28CN119145039A2024-12-17韦华、叶晓达、赵兴凯、王顺金、韩家贤、孙清、杨春柳、牛应硕、李芳艳、柳廷龙、刘汉保、陈飞宏、李世强、骆金秋17具有稳定磷化铟单晶热场的一体浇筑式发热体实用新型授权CN202422605981.42024-10-28CN223268811U2025-08-26韦华、叶晓达、赵兴凯、王顺金、韩家贤、孙清、杨春柳、牛应硕、李芳艳、柳廷龙、刘汉保、陈飞宏、骆金秋18一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410803637.82024-06-20CN118682573A2024-09-24李晓宏、李有云、刘汉保、韦华、陶航、孔维旗、李艳婷、孙忠勇、杨志坚、李思19一种锑化镓多晶的合成系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410739465.22024-06-07CN118600549A2024-09-06王顺金、韦华、韩家贤、李芳艳、唐康中、刘吉才、柳廷龙、刘汉保、赵兴凯、牛应硕、余海龙、张丽萍、骆金秋、黄四江、林作亮20晶棒多线切割后的晶片脱胶清洗台实用新型授权CN202420163134.42024-01-23CN221754168U2024-09-24吕欣泽、李国庆、陈飞宏、刘汉保、唐开华、彭兴奎、束本文、王茺、杨德艳21锗晶片清洗装置实用新型授权CN202322951330.62023-11-01CN221754096U2024-09-24杨春柳、李芳艳、周玲娟、赵磊、杨秋云、刘汉保、李世强、韦华、王茺22一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310959314.32023-08-01CN116705593A2023-09-05赵茂旭、刘汉保、韦华、刘建良、杨绍楠、李晓宏、孙清、牛应硕、韩家贤、赵兴凯、王顺金、杨春柳23一种VB法生长磷化铟单晶的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310847932.92023-07-12CN116770431A2023-09-19李世强、柳廷龙、叶晓达、赵兴凯、魏荣贤、黄国勇、钱俊兵24数控滚磨机床实用新型授权CN202321817375.82023-07-12CN220427739U2024-02-02柳廷龙、李世强、骆金秋、柳廷芳、唐开华、黄国勇、钱俊兵25磷化铟晶圆片清洗装置实用新型授权CN202321831566.X2023-07-12CN220426122U2024-02-02韦华、杨春柳、赵兴凯、白良、李世强、黄国勇、钱俊兵26一种VB法生长磷化铟单晶的装置实用新型授权CN202321831533.52023-07-12CN220433075U2024-02-02李世强、柳廷龙、叶晓达、赵兴凯、魏荣贤、黄国勇、钱俊兵27一种磷化铟晶片精抛抛光液配制装置实用新型授权CN202321473984.62023-06-09CN219897964U2023-10-27李思、刘汉保、李晓宏、邱锋、杨绍楠、杨春柳、韦华、赵茂旭、孙清28一种磷化铟晶片粗抛抛光液配制桶实用新型授权CN202321473579.42023-06-09CN220143265U2023-12-08杨春柳、李思、李晓宏、邱锋、李芳艳、杨绍楠、刘汉保、韦华、赵茂旭、孙清29磷化铟晶片卸片卡塞托架实用新型授权CN202321479823.82023-06-09CN220585200U2024-03-12刘汉保、李思、李晓宏、邱锋、杨绍楠、杨春柳、韦华、赵茂旭、孙清30一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310650628.52023-06-03CN117265636A2023-12-22韩家贤、叶晓达、柳廷龙、王顺金、韦华、赵兴凯、惠峰、刘汉保、黄平、何永彬、王茺、马东升、唐康中、刘吉材31一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310617181.12023-05-29CN116741622A2023-09-12牛应硕、李有云、刘汉保、韦华、杨春柳、赵茂旭、韩家贤32基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310514361.72023-05-09CN116908133A2023-10-20韩家贤、叶晓达、柳廷龙、王顺金、唐康中、赵兴凯、韦华、何永彬、刘吉才、段鑫敏、黄平、刘汉保、桂丽娇33一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310428695.22023-04-20CN116544107A2023-08-04赵磊、魏海龙、杨春柳、阮开科、何孝刚、曹小贵、朱正根、周永健34磷化铟碎片制备多晶的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310385188.52023-04-12CN116555911A2023-08-08赵兴凯、权忠朝、马冬生、叶晓达、柳旭、杨秋云、韦华、韩家贤、王顺金35激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211310523.72022-10-25CN115608694A2023-01-17杨春柳、鲁闻华、李有云、刘汉保、韦华、牛应硕、杨杰36温度梯度法生长晶体的气体集束装置实用新型授权CN202222709643.62022-10-14CN218711021U2023-03-24叶晓达、赵兴凯、李世强、柳廷龙、韦华、王顺金、韩家贤、魏荣贤、李国芳37一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210688205.82022-06-17CN115182053B2024-03-12黄四江、王美春、沙智勇、刘得伟、尹归、杨海平、殷云川38碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件实用新型授权CN202221331861.42022-05-31CN218026454U2022-12-13刘得伟、黄四江、沙智勇、殷云川、尹归、杨海平、王美春39利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210606746.12022-05-31CN114959887B2024-04-30刘得伟、沙智勇、黄四江、殷云川、尹归、杨海平、王美春40提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210525822.62022-05-13CN114892274A2022-08-12黄四江、刘得伟、王美春、沙智勇、尹归、杨海平、殷云川41磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法发明专利授权、公布CN202210506067.72022-05-10CN114990697B2023-12-12赵兴凯、邱锋、权忠朝、韦华、叶晓达、柳旭、徐仁勇、刘文斌、韩家贤、王顺金、李国芳42磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法发明专利授权、公布CN202210506066.22022-05-10CN114808130B2023-12-12赵兴凯、邱锋、权忠朝、韦华、叶晓达、柳旭、徐仁勇、刘文斌、韩家贤、王顺金、李国芳43基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210496774.22022-05-09CN115029783B2023-10-03韩家贤、邱锋、许天、惠峰、韦华、赵兴凯、王顺金、柳廷龙、刘汉保、黄平、何永彬、叶晓达44一种用于晶片退火的卡塞装置实用新型授权CN202221065908.72022-05-06CN217134334U2022-08-05杨春柳、邱锋、刘汉保、韦华、韩家贤、郭建新45PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖实用新型授权CN202221065895.32022-05-06CN217677908U2022-10-28刘得伟、黄四江、李宝学、王美春、沙智勇、殷云川、尹归、杨海平、普世坤46一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210196199.42022-03-01CN114622272B2023-09-12刘得伟、李宝学、杨涛、尹正雄、赵伟、周安祥、陆贵兵、普世坤47一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210078324.12022-01-24CN116004332B2024-05-10郭建新、刘汉保、韦华、赵磊、吕春富、杨春柳、李国芳48一种零位错P型锗单晶制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202111660623.82021-12-30CN114250503A2022-03-29李宝学、刘得伟、林作亮、李长林、李国芳、黄四江、沙智勇、陆贵兵、普世坤49超薄锗单晶抛光片的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202111680205.52021-12-30CN115527835A2022-12-27韩家贤、韦华、王顺金、吕春富、赵兴凯、杨春柳、李国芳50一种锗晶片清洗水槽实用新型授权CN202123342641.X2021-12-28CN216420554U2022-05-03杨春柳、刘汉保、赵磊、郭建新、吕欣泽

云南锗业成立于1998年8月19日，于2010年6月8日在深圳证券交易所上市，注册地址为云南省临沧市，办公地址为云南省昆明市。它是国内锗行业领先企业，专注锗矿开采及精深加工，具备全产业链优势。

云南锗业所属申万行业为有色金属 - 小金属 - 其他小金属，涉及锗镓概念、QFII持股、太阳能（光伏）等概念板块。其主营业务涵盖锗矿开采、火法富集等环节，主要产品有区熔锗锭、红外级锗单晶及锗镜片，最终应用于红外光学、太阳能电池等行业。

2025年，云南锗业营业收入10.66亿元，行业排名13/16，远低于第一名贵研铂业的556.75亿元和第二名锡业股份的435.35亿元，也低于行业平均数90.28亿元和中位数26.2亿元。主营业务中，材料级锗产品收入3.64亿元，占比34.11%。净利润为2481.82万元，行业排名14/16，与第一名锡业股份的21.1亿元和第二名华锡有色的12.9亿元差距较大，低于行业平均数4.24亿元和中位数2.14亿元。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种用于抑制锗晶片外延后水纹缺陷的清洗方法发明专利公布CN202610158831.42026-02-04CN122161361A2026-06-05李芳艳、刘汉保、杨春柳、周玲娟、柳廷龙、韦华、王顺金、赵友鹏2低品位含锗物料火法挥发富集锗的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610092936.42026-01-23CN121874515A2026-04-17普世坤、姚才伟、张正南、所锦涛、朱知国、赵顺成、李晅皞、李光文、谢天敏、彭勃、查磊、李正美、邵雨萌、吴王昌、林作亮3一种火法熔炼挥发富集低品位含锗物料中锗的配料团矿方法发明专利公布CN202610092969.92026-01-23CN122147098A2026-06-05姚才伟、普世坤、李晅皞、张正南、朱知国、查磊、李光文、谢天敏、彭勃、所锦涛、赵顺成、邵雨萌、吴王昌、李正美4一种从四氟化锗生产尾气吸收液中提取锗的方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510578376.92025-05-07CN120459653A2025-08-12周天荣、普世坤、尹国文、罗中旭、朱知国、姚才伟、朱恩毅、陈平、张荻、张正南、陈南宇、李晅皞、杨成红、陈代凤、王美春、林作亮、李长林、李国芳、李娇5四氟化锗贮存运输容器实用新型授权CN202520639081.32025-04-07CN223895678U2026-02-10陈南宇、普世坤、朱恩毅、尹国文、罗中旭、周天荣、陈平6制备四氟化锗的反应器料架实用新型授权CN202520639079.62025-04-07CN224271210U2026-05-26朱恩毅、尹国文、普世坤、陈南宇、朱知国、罗中旭、陈平、周天荣7一种四氟化锗中氟化氢杂质的去除装置实用新型授权CN202520627470.42025-04-03CN224057023U2026-03-31陈平、罗中旭、普世坤、周天荣、朱恩毅、陈南宇、姚才伟、张正南、李晅皞、杨成红、陈代凤、王美春、李长林、林作亮8一种用四氯化锗制备超细高纯二氧化锗的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510396377.12025-03-31CN120463232A2025-08-12普世坤、李银江、陈彪、李留峥、蒯志奎、吴王昌、李正美、吴涛、李建国、朱俊、侯志毅、张朝阳、陈代凤、林作亮、李长林、李国芳、李娇、王美春9一种电子级四氟化锗反应器装置实用新型授权CN202423280885.32024-12-30CN223732722U2025-12-30张荻、普世坤、张奕晨、朱知国、谢天敏、陈代凤、李国芳、尹国文、罗中旭、周天荣、王美春、李长林、林作亮10一种用氢气还原高纯二氧化锗生产高纯锗粉的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411408424.12024-10-10CN119304174A2025-01-14普世坤、张朝阳、李建国、朱知国、侯志毅、朱俊、陈伟、张太荣、王春华、苏有维、杨家儒、陈代凤、张荻、鲍正泽、鲁应梅、谭天和、施丽梅11一种垂直管状不锈钢高纯二氧化锗还原装置实用新型授权CN202422443105.62024-10-10CN223185554U2025-08-05普世坤、张朝阳、朱知国、李建国、侯志毅、朱俊、杨家儒、苏有维、王春华、陈伟、陈代凤、张太荣、张荻、鲍正泽、鲁应梅、谭天和、施丽梅12一种高纯还原锗粉铸锭用的真空熔融铸锭炉实用新型授权CN202422443101.82024-10-10CN223216670U2025-08-12普世坤、侯志毅、李建国、朱知国、张朝阳、朱俊、陈伟、张太荣、杨家儒、苏有维、王春华、陈代凤、王廷玉、谭天和、鲁应梅、鲍正泽、施丽梅、李银江13一种氢气还原二氧化锗制备高纯锗粉的装置及方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411325019.32024-09-23CN119194117B2025-06-27张茂、柳清菊、朱俊、李建国、普世坤、张太荣、杨家儒、王春华、陈伟、鲍正泽、鲁应梅、张朝阳、侯志毅14一种用四氟化锗低温雾化水解制备高纯二氧化锗的方法发明专利公布CN202411191381.62024-08-28CN118754188A2024-10-11普世坤、张荻、朱知国、谢天敏、尹国文、罗中旭、吴王昌、李正美、周天荣、陈代凤、王美春、王廷玉、吴涛、陈南宇、朱恩毅、李长林、林作亮、李国芳、李娇、蒯志奎、刘凤仙、张朝阳、侯志毅15制氟设备设施远程监测系统实用新型授权CN202421971455.32024-08-15CN223140060U2025-07-22张荻、普世坤、张奕晨、李国芳、陈代凤、尹国文、罗中旭、朱知国、谢天敏、王廷玉16电子级四氟化锗材料生产尾气净化塔的物联网监控系统实用新型授权CN202421982993.22024-08-15CN223205802U2025-08-08张荻、普世坤、张怡颜、朱知国、谢天敏、王廷玉、张奕晨、李国芳、苏有维、尹国文、吴王昌、李正美、罗中旭、王美春17一种四氟化锗生产排放尾气中锗的回收方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202410904664.42024-07-08CN118615837A2024-09-10罗中旭、普世坤、尹国文、赵思棋、周天荣、关伟、吴王昌、李正美、陈代凤、李长林、王美春、李娇、李国芳、吴涛、蒯志奎18一种四氟化锗尾气的多级吸收装置实用新型专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权CN202421593458.82024-07-08CN222930570U2025-06-03罗中旭、普世坤、尹国文、赵思棋、周天荣、关伟、吴王昌、李正美、陈代凤、李长林、王美春、李娇、李国芳、吴涛、蒯志奎19一种锑化镓多晶的合成系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410739465.22024-06-07CN118600549A2024-09-06王顺金、韦华、韩家贤、李芳艳、唐康中、刘吉才、柳廷龙、刘汉保、赵兴凯、牛应硕、余海龙、张丽萍、骆金秋、黄四江、林作亮20一种纳米级高纯二氧化锗的制备装置实用新型授权CN202420105584.82024-01-16CN221514507U2024-08-13普世坤、蒯志奎、吴涛、吴王昌、李正美、侯志毅、张朝阳、王仙琴、赵思琪、陈代凤、王美春、林作亮、李长林21用于过氧化氢氧化去除四氯化锗中砷的装置实用新型授权CN202420105560.22024-01-16CN221644610U2024-09-03普世坤、吴涛、蒯志奎、李正美、吴王昌、张朝阳、侯志毅、王仙琴、赵思琪、陈代凤、李长林、王美春22一种纳米级高纯二氧化锗的制备方法发明专利授权、公布CN202410062556.72024-01-16CN117819592B2025-08-15普世坤、蒯志奎、吴涛、吴王昌、李正美、侯志毅、张朝阳、王仙琴、赵思琪、陈代凤、王美春、林作亮、李长林23过氧化氢氧化去除四氯化锗中砷的方法及装置发明专利授权CN202410062548.22024-01-16CN117819593B2025-11-18普世坤、吴涛、蒯志奎、李正美、吴王昌、张朝阳、侯志毅、王仙琴、赵思琪、陈代凤、李长林、王美春24一种用于中频炉二次挥发富集低品位锗富集物中锗的渣斗实用新型专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权CN202323262716.22023-11-30CN221764212U2024-09-24姚才伟、张正南、陈安奎、师宁、李光文、段子勇、徐昌林、普世坤、王美春25封焊石英材料用新型节能喷火头实用新型专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权CN202322951268.02023-11-01CN221051741U2024-05-31陈代凤、李国芳、普世坤、惠峰、李娇、张荻、尹国文、李长林、林作亮、王美春、罗中旭26一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310650628.52023-06-03CN117265636A2023-12-22韩家贤、叶晓达、柳廷龙、王顺金、韦华、赵兴凯、惠峰、刘汉保、黄平、何永彬、王茺、马东升、唐康中、刘吉材27基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310514361.72023-05-09CN116908133A2023-10-20韩家贤、叶晓达、柳廷龙、王顺金、唐康中、赵兴凯、韦华、何永彬、刘吉才、段鑫敏、黄平、刘汉保、桂丽娇28碳化硅粉料合成方法发明专利专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权、公布CN202310433994.52023-04-21CN116553554B2024-05-14黄四江、王美春、李希超、刘得伟、尹归、杨海平、殷云川29一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310428695.22023-04-20CN116544107A2023-08-04赵磊、魏海龙、杨春柳、阮开科、何孝刚、曹小贵、朱正根、周永健30一种高纯四氟化锗气体的充装设备及充装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310408611.92023-04-17CN116518293A2023-08-01罗中旭、普世坤、尹国文、朱知国、吴王昌、谢天敏、李正美、和树莲、赵思琪、王仙琴31一种用于二氧化锗还原提纯的旋风式纯化系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211301253.32022-10-24CN115627371A2023-01-20李建国、普世坤、鲁应梅、陈清鹤、朱知国、朱俊、陈伟、张太荣、杨家儒、陈关发、王春华32一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210688205.82022-06-17CN115182053B2024-03-12黄四江、王美春、沙智勇、刘得伟、尹归、杨海平、殷云川33一种从低品位锗富集物中提取锗的方法发明专利授权、公布CN202210615858.32022-06-01CN114921664B2024-02-02普世坤、尹国文、熊浩、罗中旭、吴王昌、柴皓茗、张红潇、邵雨萌、林作亮、李长林34碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件实用新型授权CN202221331861.42022-05-31CN218026454U2022-12-13刘得伟、黄四江、沙智勇、殷云川、尹归、杨海平、王美春35利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210606746.12022-05-31CN114959887B2024-04-30刘得伟、沙智勇、黄四江、殷云川、尹归、杨海平、王美春36提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210525822.62022-05-13CN114892274A2022-08-12黄四江、刘得伟、王美春、沙智勇、尹归、杨海平、殷云川37磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法发明专利授权、公布CN202210506067.72022-05-10CN114990697B2023-12-12赵兴凯、邱锋、权忠朝、韦华、叶晓达、柳旭、徐仁勇、刘文斌、韩家贤、王顺金、李国芳38磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法发明专利授权、公布CN202210506066.22022-05-10CN114808130B2023-12-12赵兴凯、邱锋、权忠朝、韦华、叶晓达、柳旭、徐仁勇、刘文斌、韩家贤、王顺金、李国芳39一种贮存高纯四氟化锗的容器实用新型授权CN202221087870.32022-05-09CN217153796U2022-08-09罗中旭、普世坤、尹国文、张红潇、柴皓茗、邵雨萌、熊浩、李正美、李长林、林作亮40基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210496774.22022-05-09CN115029783B2023-10-03韩家贤、邱锋、许天、惠峰、韦华、赵兴凯、王顺金、柳廷龙、刘汉保、黄平、何永彬、叶晓达41PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖实用新型授权CN202221065895.32022-05-06CN217677908U2022-10-28刘得伟、黄四江、李宝学、王美春、沙智勇、殷云川、尹归、杨海平、普世坤42超薄锗单晶抛光片的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202111680205.52021-12-30CN115527835A2022-12-27韩家贤、韦华、王顺金、吕春富、赵兴凯、杨春柳、李国芳43一种晶片切割油的油渣分离装置实用新型授权CN202123342580.72021-12-28CN216704328U2022-06-10王顺金、韩家贤、韦华、赵兴凯、何永彬、杨小瑞、唐康中、柳廷龙、刘汉保、黄平、普世坤、惠峰44一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置实用新型授权CN202123249664.62021-12-22CN217231011U2022-08-19韩家贤、韦华、何永彬、王顺金、吕春富、李国芳、刘吉才、唐康中45一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法发明专利授权、公布CN202111581919.02021-12-22CN114318495B2025-02-18韩家贤、韦华、何永彬、王顺金、吕春富、李国芳、刘吉才、唐康中46一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202111222796.12021-10-20CN113957537B2024-04-30韩家贤、王顺金、韦华、赵兴凯、陈娅君、何永彬、柳廷龙、刘汉保、黄平、陈飞鸿、李国芳47不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202111179012.12021-10-09CN113981523B2024-03-12韩家贤、王顺金、韦华、赵兴凯、何永彬、柳廷龙、刘汉保、黄平、陈飞鸿、李国芳48低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202111065459.62021-09-10CN113913939B2024-02-06王顺金、惠峰、韩家贤、刘汉保、柳廷龙、韦华、普世坤、赵兴凯、何永彬、唐康中、吕春富、鲁闻华、黄平、陈飞宏、李国芳49一种高纯四氟化锗取样装置实用新型授权CN202121851199.02021-08-10CN215296857U2021-12-24张红潇、普世坤、柴皓茗、尹国文、李正美、罗中旭、吴王昌、熊浩、邵雨萌50碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202110911820.62021-08-10CN113564712B2022-05-24黄四江、普世坤、刘得伟、王美春、惠峰、沙智勇、殷云川、尹归、杨海平、王东