北京
国家知识产权局信息显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司取得一项名为“等离子体增强化学气相沉积设备”的专利，授权公告号CN224313649U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供等离子体增强化学气相沉积设备。所述等离子体增强化学气相沉积设备包括腔体、位于腔体外且用于产生激发等离子体的射频信号的射频电源、位于腔体内且位于进气口下方且用于均匀从进气口进入腔体的反应气体的布气板组件、位于布气板组件的下方且其底面为凹面的上电极、悬挂于所述上电极的下方的电极遮挡层以及位于腔体底部且接地并与上电极相对设置的下电极；所述电极遮挡层包括多个电介质单元以及多个金属单元，所述等离子体增强化学气相沉积设备进行等离子增强化学气相沉积工艺时，所述多个电介质单元以及多个金属单元对应区域的等离子体密度波动不超过预定范围。本实用新型能改善等离子体分布均匀性以及成膜均匀性。
天眼查资料显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23512.8795万人民币。通过天眼查大数据分析，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可50个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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