北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构、其制备方法和电子装置”的专利，公开号CN122138630A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构、其制备方法和电子装置，包括于基板上形成包括多个第一心轴结构和至少一个伪心轴结构的第一心轴图形，伪心轴结构位于第一心轴图形中用于形成第二心轴图形的至少部分区域；基于第一心轴图形于基板上形成第一掩膜图案，第一掩膜图案包括形成于第一心轴结构侧壁的第一间隔件和与伪心轴结构对应位置的开口区域；于具有第一掩膜图案的基板上形成包括多个第二心轴结构的第二心轴图形，至少部分第二心轴结构位于开口区域；基于各第一间隔件和各第二心轴结构形成第二掩膜图案，第二掩膜图案包括形成于第一间隔件侧壁和第二心轴结构侧壁的多个第二间隔件。本申请能够显著降低CD loading效应。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息233条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可480个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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