北京
国家知识产权局信息显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司申请一项名为“一种SiC单晶的助溶剂生长方法”的专利，公开号CN122105628A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种SiC单晶的助溶剂生长方法。该方法包括：将高纯硅、金属铬和金属钴混合，置于石墨坩埚或SiC坩埚中，在惰性气氛或含氢混合气氛下加热熔炼，形成Si‑Cr‑Co合金；控制合金中Cr含量≤60at.%，Co含量≤20at.%，余量为Si；继续升温至不低于1800℃，使碳溶解于合金中，获得SiC和碳双饱和的Si‑Cr‑Co‑C熔体；然后采用顶部籽晶溶液生长法或坩埚下降法，在所述熔体中进行SiC单晶的生长。本发明通过引入钴与铬协同作用，在提高碳溶解度的同时抑制晶体表面台阶聚集，并降低助溶剂元素在晶体中的掺杂浓度。
天眼查资料显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司，成立于2024年，位于呼和浩特市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古清橙半导体科技有限公司专利信息7条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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