北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“降低填充沟槽深宽比的方法”的专利，公开号CN122121650A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明提供一种降低填充沟槽深宽比的方法及半导体结构，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层中形成有钨通孔；在所述第一层间介质层上依次形成第二层间介质层和TiN硬掩模层；在所述TiN硬掩模层上形成图形化的光刻胶层，对所述TiN硬掩模层及所述第二层间介质层依次进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述钨通孔；在所述钨通孔的表面沉积钴保护层；清洗去除所述TiN硬掩模层，在所述沟槽内依次沉积扩散阻挡层与籽晶层，并进行金属填充。本发明增加TiN硬掩模清洗步骤，并通过沉积钴保护层保护钨通孔，通过去除TiN硬掩模层降低沟槽的深宽比，以减少填充缺陷的产生，进而提升产品良率。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2084次，专利信息2779条，此外企业还拥有行政许可539个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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