日赚近4亿！长鑫科技IPO过会：中国版海力士的“逆袭奇迹”

日赚近4亿！长鑫科技IPO过会：中国存储芯片的“逆袭奇迹”，才刚刚开始

从年亏百亿到日赚近4亿，长鑫科技只用了不到三年。295亿募资、半年极速过会、市值冲击两万亿——这不是数字游戏，这是中国存储芯片产业用“真刀真枪”打出来的翻身仗。

5月27日，上交所一纸公告，长鑫科技科创板IPO获上市委审议通过。从2025年12月底受理，到2026年5月底过会，不到半年时间，这家国产DRAM龙头跑出了科创板罕见的“加速度”。

这不是一家公司的事。如果把中国存储芯片产业比作一台刚刚启动的发动机，长鑫科技就是那颗最先点火的气缸——它点燃的，是整个赛道的“国产替代”之火。而留给中国芯片产业的核心命题也清晰浮出水面：超级周期还能撑多久？国产替代的天花板在哪里？万亿市值的光环背后，真正的底牌又是什么？

日赚近4亿的“印钞机”：18个月，从年亏百亿到单季净赚247亿

4月，长鑫科技在一季度交出了一份让市场窒息的最新财报：单季营收508亿元，同比暴增719.13%；归母净利润247.62亿元，同比暴增1688.30%。平均下来，每天净赚近4亿。这组数据，同期甚至超过了整个科创板605家上市公司的归母净利润总和。

而就在两年前，这家公司还在巨额亏损的泥潭中挣扎。2023年，长鑫科技亏损高达163.4亿元，有媒体直呼它是“碎钞机”。不到三年时间，从“巨亏百亿”到“日赚数亿”，这场逆转来得又快又猛。

乘上AI超级周期的翅膀，是长鑫科技业绩爆发的核心动能。一季度DRAM合约价涨幅被大幅上修至93%~98%，AI驱动的算力需求直接传导至“存力”市场，长鑫科技的产能被抢得满档满载。

展望2026年上半年，长鑫科技预计营收将达1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元，全年净利润大概率突破千亿大关。

一个时代的隐喻：长鑫科技，代表的是国产替代正从“讲故事”切换到“赚大钱”

放在十年前，“中国存储芯片”这个词，本身就是一段励志剧本。彼时，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三家牢牢垄断，合计份额一度超过95%。

直到长鑫科技在2019年实现DDR4内存芯片量产，中国DRAM产业才撕开了一道口子。七年后的今天，长鑫存储全球DRAM营收份额已增长至约7.7%，晶圆产能份额约达8%，稳居全球第四位。它已是中国第一大DRAM厂商，在国内市场占有约40%的份额。

长鑫科技的崛起，打破了三星、海力士、美光“三足鼎立”的全球格局。全球第四的地位，之于中国DRAM的过往历史，无异于一场“从零到一”的阵痛与破局——从无到有、从小到大的叙事，正在这片土地上长出真正的身躯。

在资本市场，长鑫科技拟募资295亿元，是科创板史上仅次于中芯国际的第二大IPO项目。但这只是一个起点。有分析机构预测，依托亮眼的盈利基本面和科创板的估值体系，长鑫科技上市后总市值有望冲击2万亿至3万亿元区间，与中芯国际和寒武纪等巨头并驾齐驱，成为A股科技板块又一“核心资产”。

市场对硬科技的定价不会骗人——技术突围，正以前所未有的想象力，重构国产芯片在资本市场上的价值标尺。

IPO只是发令枪：295亿募资背后，是一场全产业链的“加速跑”

长鑫科技的IPO，不仅是融资。295亿元募资将精准投向三大方向——量产线技术升级、DRAM技术升级，以及前瞻技术研发。

根据募资计划，这笔资金的核心投向是三大方向：75亿投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，130亿主攻DRAM存储器技术升级项目，90亿布局前瞻技术研发项目。更重磅的还有它“藏在词条之间”的技术战略——包括12层堆叠HBM的大规模生产，以及HBM3产品的2026年量产规划。

从产能扩产看，长鑫科技目前已将月产能从10万片猛烈拉升至20万片以上，并定下2026年挑战35万到40万片的新天花板目标。若实现，它在全球DRAM晶圆产能份额中的占比将进一步抬升。

更值得深挖的，是它对国产供应链的拉动效应。长鑫科技扩产带动的不仅是存储芯片本身，还有国产半导体设备、材料和零部件厂商的历史性机遇。据产业链人士透露，长鑫科技当前的国产设备整体占比已达四至五成。不过，各环节进展并不均衡——CMP与清洗设备国产化率较高，刻蚀与薄膜沉积正处于快速渗透期，而量测检测与涂胶显影环节仍是薄弱地带。

面对全球缺货预期延续至2027年的背景，一旦国产供应链完成覆盖刻蚀、沉积、量测、涂胶显影等环节的全线攻坚，长鑫科技整体国产设备占比超过50%并非遥不可及。

暴赚之后，还有三场“长跑”等着它

数钱的日子固然美好，但长鑫科技真正的考验才刚刚开始。

第一道坎是全球存储芯片市场的“周期性陷阱”。当前DRAM正处于罕见的历史级涨价潮，但存储芯片的“暴涨后必有暴跌”的铁律依然埋在行业周期深处。一旦供需关系逆转，价格大跌的风险就会迅速浮出水面。

第二道坎是与国际巨头的技术代差。长鑫存储当前主流量产DRAM制程为16nm（D1z），最高速率为8000Mbps；相比SK海力士的10nm（D1a/1β）和14400Mbps的顶尖速率，仍有明显距离。在HBM高带宽内存领域，这一差距更是长达五年之久——长鑫刚刚实现HBM2量产，而三星、SK海力士已大举推进到HBM4时代。追赶之路依然漫长。

第三道坎是国产上游设备的依赖困境。量产线上的刻蚀、沉积和量测设备仍有大量依赖进口。国产厂商在刻蚀、薄膜沉积领域逐渐突破，但涂胶显影、量测检测等环节仍是被“卡脖子”的核心高风险区。设备自主化若无法在“十五五”期间实质性跃升，长鑫的扩产成本和扩产速度都将面临不可忽视的制约。

长鑫科技的IPO过会，写在数字里的是一场华丽的逆袭；写在技术路径上的，是一场远未到终点的长跑。

从全球DRAM份额的“无名之辈”到跻身全球第四，它只用了几年时间。从月产能10万片猛冲至20万片以上，它比所有三星海力士的韩国分析师们都更拼。把AI算力需求的红利从GPU赛道完美传导至DRAM存力赛道，它替中国存储芯片产业找到了一个历史级的“突围窗口”。

但长鑫科技的下一步，不在账面上零存整取的净利润中，也不在K线图的漂亮走势里。它的真正命门，始终握在刻蚀腔的深度、薄膜沉积的精度和涂胶显影的效率中。

数字可以造假，技术不会骗人。 当全球DRAM产能的“滚雪球”仍在加速滚动，真正的胜局，取决于中国半导体产业链上所有企业协同奔跑的速度。超级周期会退潮，技术代差会缩小，设备国产化会突破。当这些变量一一兑现，中国存储芯片才真正称得上“翻身”。