【CNMO科技消息】5月22日,据半导体行业消息,三星电子在3月底启动第八代V-NAND(V8)量产后,已着手在中国西安工厂进行第九代V-NAND(V9)的生产线转换工作,洁净室建设已进入准备阶段。
据悉,三星电子正加速将西安工厂转为高堆叠层数V-NAND生产线。在完成从128层V6向236层V8的转换投资后,该工厂已于3月30日进入V8的批量生产阶段。行业分析认为,V6产品在该工厂的产能比例已基本缩减或进入收尾阶段。
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三星电子西安工厂
为推进NAND技术转换,三星电子在中国的投资规模持续扩大。据上海半导体材料创新联盟(ICMIC)数据,2025年三星电子对西安工厂的投资额预计约3.04亿美元(约合4654亿韩元),较上年增长约67.5%。
三星电子计划在年内完成286层V9的投资,并启动量产准备工作。目前,为构建V9生产线而进行的洁净室工程正在筹备中,预计相关设施完工并正式启用V9产线的时间点将在2027年。届时,V8与V9产线将以共存形式运营一段时间。
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三星电子第九代V-NAND
CNMO科技了解到,西安工厂是三星电子全球NAND生产的核心基地,占其全球NAND总产能的约40%。据估算,2025年该工厂实现销售额约8.64万亿韩元,净利润约1.11万亿韩元。
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