河北
分享至
美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。
新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性，即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。
测试结果显示，这款铁电闪存可承受高达100万拉德（辐射吸收剂量）的辐射，相当于1亿次X射线照射，辐射耐受性是传统存储器的30倍。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
