内存突围之战

2016年506 项目成立：合肥智聚集成电路有限公司（2016 年 5 月 6 日兆易创新朱一明与合肥市及经开区领导研讨合肥存储器项目发展战略）成立，确定项目目标为自主发展主流 DRAM 存储器 IDM 模式。

2016 年 8 月 23 日：长鑫集电（北京）存储技术有限公司成立，使用了北京屹唐集成电路科技有限公司的标准化厂房基地。

2017年3月：项目厂房正式开工建设，仅用 10 个月完成厂房和设备建设，创造半导体晶圆厂建设较快节奏。

2017年4月：公司改名为睿力集成电路有限公司；

2018 年1月：设备开始安装，项目进入关键建设阶段。

2018 年 7 月 16 日：控片投片总结大会上，正式宣布投产电性片；同日，合肥长鑫发布首颗中国自主研发的 8Gb LPDDR4 DRAM 芯片，计划年底推出工程样品，成为国产 DRAM 史上首颗 "Made In China" 产品。

2018 年 8 月 27 日：CXMT（上海）有限公司成立，作为CX在上海的研发与运营主体

2019 年 9 月：在世界制造业大会上正式发布 8Gb DDR4 产品，宣布量产，标志着中国大陆终于拥有了第一座属于自己的 DRAM 晶圆厂，成为全球第四家掌握 20nm 以下 DRAM 技术的公司，实现中国大陆 DRAM 产业 "从 0 到 1" 的历史性突破。

2019 年 11 月：CX获得首笔订单，产品销售正式启动，开始进入商业化阶段。

2020 年 6 月：CX（北京）DRAM 项目一期正式启动，标志着CX "合肥 + 北京" 双基地战略布局拉开序幕。

2020 年 7 月 8 日：睿力集成电路有限公司100% 收购北京久芯科技有限公司，注册资本 10000 万元，进一步完善供应链管理和技术服务能力，为芯片测试、封装等环节提供支持

2020 年 11 月 11 日：兆易创新发布公告，拟出资 3 亿元与石溪集电、CX集成、大基金二期等多名投资人签署增资睿力集成协议，增资完成后，兆易创新持有睿力集成约 0.85% 股权；大基金二期出资 47.60 亿元，占比 14.08%。

2020 年 12 月 14 日：发生工商变更，新增湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）、国寿投资控股有限公司、招商证券投资有限公司等多名股东，其中小米长江产业基金持股 0.28%；注册资本从 189 亿元增加至约 338 亿元，此轮融资总额达 156.50 亿元，大基金二期、安徽省国资旗下三重一创产业发展基金各自投资 50 亿元。

2021 年：完成 17 纳米技术研发，进一步提升技术竞争力。

2021 年 9 月 28 日：再度完成一轮融资，注册资本由 337.99 亿元增长至 401.89 亿元，新增美的投资有限公司、海口市碧桂园创投科技有限公司等 11 家投资机构。

2021 年 12 月：CX（北京）DRAM 项目二期启动，加速北京基地产能扩张。

2022 年 1 月：北京一期试产线通线，标志着北京基地进入实质性生产准备阶段。完成 17nm DDR4 技术研发，启动 HBM 技术预研，组建专项团队

2022 年 2 月：完成新一轮融资，新增股东包括阿里巴巴（中国）网络技术有限公司、中国东方资产管理股份有限公司等 19 家公司，注册资本增加至 485.8 亿元人民币，此轮增资规模为 83.9 亿元，增幅为 20.88%。

2022年，为加强产品研发，武汉新芯拟在现有厂区内实施“基于三维集成架构的第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器项目”。该项目总投资 20000 万元，利用武汉新芯自有的定制化逻辑工艺与国内先进的DRAM 设计能力，在武汉新芯先进的 Xtacking（晶圆级三维集成技术）平台实现第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器（LPDDR4）开发。

2023 年：北京基地正式启动量产，主要覆盖 LPDDR4X、LPDDR5 和 DDR5 等中高端产品，形成 "南 - 北" 产能备份，保障供应链安全。

2023 年 9 月：远见智存率先完成 HBM2e 量产，通过设计调整绕开 TSV 及 CoWoS 部分技术瓶颈。

2023 年 Q4：CX成功流片 HBM2 产品，采用 17nm 工艺，8 层堆叠，单颗容量 16GB，带宽 512GB/s。

2024 年 Q2：合肥 HBM 产业联盟成立，成员包括CX、深科技、盛合晶微、北方华创、澜起科技等。

2024 年底：DDR5 内存芯片实现大规模量产，良率超 90%，跻身全球一流梯队。HBM2 产品实现小规模量产，月产能约 1 万片，良率达 80%。

2024 年下半年：北京基地产能持续爬坡，与合肥基地形成协同效应，总月产能突破 23 万片晶圆。

2025 年：LPDDR5X 导入国产旗舰手机，速率达 10667Mbps，单颗粒容量最高 16GB，达到国际先进水平；全年营收 617.9 亿元。

2025年8月：国产 HBM 联盟宣布实现 HBM3 批量供应，采用 16nm 工艺，12 层堆叠，带宽 819GB/s。

2025 年 10 月 9 日：CX发布辅导进展第一期公告，中金公司、中信建投联合担任辅导机构，正式启动 IPO 进程。

2026 年 3 月 30 日：CX科创板 IPO 获正式受理，拟募资 295 亿元投向技术升级、产能扩张和前沿研发，加速缩小与国际巨头的技术代差。

2026 年一季度：营业收入同比大增 719.13%，归母净利润同比暴涨 1688.30%，实现业绩爆发式增长。

2026 年 3 月上旬：CX上海超级工厂项目进入实质性推进阶段，选址上海市浦东新区唐镇，规划月产能 40-60 万片 12 英寸晶圆，为合肥现有产能的 2-3 倍，主攻高端 DDR5、LPDDR5X 及 HBM3 产品，其中 HBM3 专属月产能 5 万片，总投资超 345 亿元。

2026 年 4 月：宣布 2026 年底实现 HBM3 量产，2027 年 HBM3e 规模化，2028 年 HBM4 预研

2026 年下半年：上海超级工厂计划启动设备安装，预计 2027 年正式投产，2028 年满产，将助力长三角形成高端存储芯片产业集群。