北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121985548A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；在第一表面形成栅极沟槽；对半导体本体进行一次离子注入形成第二区域，之后进行二次离子注入形成第三区域；第三区域包裹栅极沟槽的底部，第二区域位于第三区域远离栅极沟槽的一侧，一次离子注入的注入离子导电类型与二次离子注入的注入离子导电类型相反；在栅极沟槽内形成栅极。本申请实施例可提高沟槽栅极栅氧化层的耐压能力，且降低导通电阻，提高半导体器件的可靠性。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33997.7041万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息234条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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