北京
国家知识产权局信息显示，深圳市小芯半导体有限公司;华南理工大学申请一项名为“一种自带升压和负压的自供电碳化硅智能功率模块”的专利，公开号CN121966215A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种自带升压和负压的自供电碳化硅智能功率模块，解决现有智能功率模块（IPM）因未集成升压或降压芯片，无法为SiC MOSFET提供最优工作电压，导致其导通内阻高、开关损耗大且关断不彻底的问题。该智能功率模组包括绝缘散热基板、引线框架、集成于散热基板的功率器件与无源元件，以及集成于引线框架的驱动与电源转换芯片；功率器件包含SiC MOSFET、IGBT、SiC SBD与FRD，无源元件包含采样电阻、电感与电容，驱动与电源转换芯片包含HVIC、LVIC1、LVIC2、Boost转换器及Buck转换器。通过内部集成的电源转换电路，仅需15V外部供电即可生成18V正电压与-3V负电压，满足SiC MOSFET的最优驱动需求，同时保留IGBT的常规驱动电压，适用于消费家电、工业、新能源等多领域电机驱动与逆变系统。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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