北京
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN121968620A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，通过在P型GaN层上形成图案化的氢扩散阻挡层，并利用该阻挡层的退火窗口对P型GaN层进行局部退火处理，实现了预设栅极区域中Mg激活率的渐变分布，即Mg激活率从源极向漏极方向逐渐减小，相应的，越靠近漏极的P型GaN层中的Mg‑H浓度越高，对应的P型GaN层材料电阻率也越高，下方的电子浓度越高，可以降低关态时P型GaN层靠近漏极一侧的漏电流，并且可以降低漏极一侧的电场强度，改善器件的可靠性。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目860次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可98个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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