存储芯片进入超级暴利周期！三巨头赚得盆满钵满

本周四，三星电子公布第一季度净利润，折合超过 300 亿美元。这不仅大幅刷新公司历史单季盈利纪录，甚至已接近这家韩国企业过去全年利润的最高水平。

三星第一季度营业利润中，约 94% 来自半导体业务。

三星在存储领域的主要竞争对手——韩国 SK 海力士与美国美光科技，近期也交出了同样惊人的成绩单。这三家公司主导着全球存储芯片市场，而存储芯片正是与英伟达处理器搭配、支撑 AI 运算的核心器件。

尽管市场对于 AI 服务未来能否真正实现高额盈利的担忧正在增加，但围绕 AI 基础设施建设的企业，却正持续获得巨额利润。

而这场历史级高景气行情，短期内似乎仍难结束。

三星存储业务执行副总裁金宰俊表示，根据公司目前已锁定的订单情况，明年的供货紧张局面还将进一步恶化。他在周四财报电话会议中表示：“目前可供市场的产能，远远无法满足客户需求。”

自今年年初以来，三星电子股价累计上涨 72%，SK 海力士上涨 90%，美光科技上涨 65%。

市场研究机构 TrendForce（集邦咨询）数据显示，2026 年第一季度存储芯片价格较上一季度上涨近 100%，约为此前市场预期涨幅的两倍。

近几年，存储厂商优先扩大 AI 专用高带宽内存（HBM）的产能，这也限制了智能手机、个人电脑以及通用服务器所使用传统存储芯片的供应。大语言模型训练通常需要将英伟达 GPU 与 HBM 搭配使用。

而近期，AI 推理需求持续升温——也就是让已经训练完成的大模型响应用户请求的计算场景。这进一步带动了通用服务器需求，而此类服务器主要使用传统存储芯片，也将三星、SK 海力士和美光的盈利能力推升至新的高度。

根据 FactSet 的预测，这三家企业 2026 年合计净利润预计将达到约 3500 亿美元。届时，它们都将跻身全球利润最高的十大上市公司之列，其中三星甚至有望超过 Alphabet、微软与苹果，跃居全球第二。而就在一年前，这三家存储厂商还没有一家进入全球利润前十。

业内分析师指出，一座芯片晶圆厂的建设成本通常超过 200 亿美元，且建设周期长达数年。虽然三星、SK 海力士和美光都在扩建新产线，但新增产能预计要到 2027 年末甚至 2028 年才能完全释放。同时，大量产线资源正被分配给 HBM，而 HBM 相比传统存储芯片需要占用更多产能。

存储芯片主要分为两大类：

• DRAM：为服务器、PC 及其他电子设备提供临时数据存储，以实现高速数据处理；

• NAND 闪存：负责长期数据存储，例如手机照片、文件等内容保存。

HBM 则是通过将多层 DRAM 芯片垂直堆叠，再与英伟达等厂商的处理器共同封装，从而提升 AI 运算性能。英伟达目前与三星、SK 海力士、美光均保持紧密合作关系。

市场研究机构 Counterpoint 半导体分析师黄敏秀（MS Hwang）表示，目前 DRAM 与 NAND 两大产品的营业利润率，相比正常水平几乎翻倍：DRAM 利润率已达到约 80%，NAND 闪存最高接近 60%。

她还表示，服务器、PC 与智能手机行业的大型企业，如今正愿意支付更高价格，大规模采购并囤积存储芯片，以限制竞争对手获取供应。

“现在市场的逻辑是：谁掌控存储供应，谁就有机会主导 AI 产业。”她说。

全球电子元器件分销商 FusionWorldwide 执行副总裁 Marcus Chen 表示：“当前市场正在经历史上最严重的存储芯片短缺。”

他称，其服务的大多数客户，目前只能拿到自身需求量 30% 至 50% 的存储芯片，“有些甚至更少”。

过去，客户与存储厂商之间长期依赖口头协议锁定供货，但如今部分合作已经转向具有法律约束力的长期合同。

花旗半导体分析师 Peter Lee 表示，部分合同期限长达五年，客户不仅需要预付约 30% 款项，甚至还要分摊新建存储晶圆厂的投资成本。

“我们正在看到客户愿意做到这种程度。” Lee 表示。

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