10nm！DRAM正式突破物理极限限制

来源：市场资讯

（来源：电子技术应用ChinaAET）

根据韩国媒体The Elec报导，三星电子已成功制造出全球首款制程低于10nm级的DRAM工程裸晶，代表着内存产业正式突破长久以来的物理极限限制。

DRAM制程发展背景

长期以来，DRAM产业的微缩技术主要依赖10nm级制程（涵盖1x、1y、1z、1a、1b、1c至1d，19nm-10nm之间）。如今，三星正全力开发全新的“10a”制程技术。市场分析指出，10a制程将使线宽进一步缩小至9.5到9.7nm之间，成为业界首个跨入10nm以下（sub-10nm）制程技术。日前，三星已经10a制程生产晶圆后，在检查裸晶特性时成功确认了工程裸晶的诞生，目前正计划通过调整制程条件来迅速提升并确保良率。

突破的核心技术

4F²单元结构与垂直信道晶体管制程

报道表示，这项革命性突破的两大核心技术，在于首度应用了“4F²单元结构（4F Square Cell Structure）”以及“垂直信道晶体管（VCT，Vertical Channel Transistor）”制程。目前的DRAM产品普遍采用6F结构（即3F×2F的长方形内存块），而全新的4F结构则转变为更紧凑的方形设计（2F×2F）。仅通过这项结构上的改变，就能将每个集成电路的单元密度大幅提升30%至50%，这不仅能提供更庞大的储存容量，更能有效节省功耗。

新型材料革新

此外，新款DRAM在材料应用上也有所革新，舍弃了过去产品使用的硅，转而采用铟镓锌氧化物（IGZO）等新型材料。由于新世代的内存单元更为狭窄，导入IGZO能有效减少漏电问题，确保数据的良好保存性。

量产规划与未来发展

根据三星的发展蓝图，搭载这些新变革的10a DRAM预计将于2026年完成开发，并计划于2028年量产。4F新结构将在10a世代率先采用，并于未来的10b与10c世代中持续优化。而后续的“10d”世代DRAM则预计将全面迈入“3D DRAM”技术领域，并计划于2029至2030年间问世。

市场竞争态势

至于，在市场竞争态势方面，三星的竞争对手美光（Micron）目前选择暂停其4F计划，决定直接等待未来的3D DRAM技术。与此同时，缺乏先进光刻设备的中国制造商在生产3D DRAM上将面临不小的挑战。不过，由于3D DRAM的设计可能与3D NAND有相似之处，这为中国厂商保留了提升制程的一线生机。

来 源 | 芯智讯