北京
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国家知识产权局信息显示，无锡中微晶园电子有限公司申请一项名为“一种MEMS压力传感器背腔深度腐蚀方法”的专利，公开号CN121915501A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明属于微机电系统MEMS制造技术领域，特别涉及一种MEMS压力传感器背腔深度腐蚀方法。包括：构建“预设基准‑梯度粗腐‑实时修正‑精准精腐”的闭环控制体系：先通过QC片实验建立精准的温度‑腐蚀速率对应关系；再根据背腔目标深度，规划多轮梯度速率粗腐蚀进程，按从大到小比例分配各轮腐蚀深度，通过温度调控使腐蚀速率随轮次递减，快速逼近目标深度的80％～95％；每轮腐蚀后即时检测深度，基于双阈值判据实现“参数微调”或“偏差补偿”的针对性修正；最后转入多轮低速率精腐蚀，延续梯度速率与实时修正策略，精准闭环至目标深度。本发明实现背腔深度亚微米级控制，工艺稳定性与适应性强，有效提升MEMS压力传感器性能一致性与规模化生产成品率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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