北京
国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法”的专利，公开号CN121924813A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种用于碳化硅功率器件的元胞结构及其制备方法，结构包括：衬底；衬底顶面设置有的第一导电类型的外延层；阱区，位于外延层远离衬底的一侧，阱区包括源极结构、栅极结构及第二导电类型的保护区；源极结构与栅极结构沿第一方向贯穿阱区，沿第二方向间隔交替排列；保护区包括包围源极结构与外延层的接触界面的连接区，以及位于连接区底部沿第一方向延伸，用于形成超结结构的掺杂柱。源极金属，位于外延层顶面，源极金属包括沿第一方向贯穿阱区，并沿第二方向间隔排列的多个延伸部；连接区的顶面位于延伸部的底面以内。能够保证高耐压的同时，有效地改善超结MOSFET器件的反向恢复特性。
天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目47次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可101个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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