北京
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体终端结构、制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN121925043A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体终端结构、制备方法及半导体器件，所述制备方法包括：提供第一导电类型的衬底；对所述衬底进行第一次离子注入，形成第二导电类型的第一掺杂结区，所述第一掺杂结区为VLD区；对所述衬底进行第二次离子注入，形成第二导电类型的第二掺杂结区，所述第二掺杂结区包括至少一个耐压环。本申请在不显著增加工艺复杂度的前提下，提高了半导体终端结构可靠性，同时保持较高的晶圆利用率，适用于高功率密度应用场景。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1989次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1382条，此外企业还拥有行政许可201个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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