北京
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国家知识产权局信息显示，新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请一项名为“具有STI结构的单光子雪崩二极管”的专利，公开号CN121924850A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及具有STI结构的单光子雪崩二极管，一种单光子雪崩二极管(SPAD)装置包括半导体衬底、中心源极/漏极、外源极/漏极，以及位于该衬底的入射表面的该中心源极/漏极与该外源极/漏极间的浅沟槽隔离(STI)结构，其中，该STI结构的宽度是该中心源极/漏极的宽度的至少三分之一。与传统装置相比，该SPAD装置可具有优越的暗电流率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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