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两大芯片巨头,双双重仓中国!

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两头都要抓,两头都不能放。

文 | 华商韬略 金玉

当全球半导体进入地缘博弈最激烈、技术迭代最迅猛、格局重构最深刻的时代,韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士,几乎在同一时间做出了一个耐人寻味的选择:

重仓中国。

2025年,两家巨头联手向中国砸下1.5万亿韩元,折合人民币近70亿。2026年,押注仍在继续。一个牵动全球半导体产业的疑问随之而来:

为什么是现在?为什么依然是中国?

【01 第二本土】

故事要从1997年说起。

那一年,亚洲金融风暴席卷汉城(现首尔)。企业成片倒下,银行门口排起挤兑的长龙,整个韩国经济像一栋被抽掉地基的大楼,摇摇欲坠。大多数企业选择了收缩、防守,甚至永久退出制造业。

但有两家公司,反其道而行之。一家叫三星电子,另一家是当时还叫“现代电子”的海力士。

他们在最危险的时候,做了一个最疯狂的决定:豪赌半导体。

那时的半导体,根本不是什么黄金赛道,而是高投入、高周期、高失败率的“地狱赛道”。日本筑起技术壁垒,美国掌控核心技术,韩国只是夹缝中的追赶者。但韩国人以破釜沉舟的决心,将半导体升级为国家命运工程。

从九十年代开始,韩国企业以“烧钱换未来”的极端方式,死磕技术迭代。DRAM(动态随机存储器,一种广泛用于计算机、智能手机和服务器中的主内存技术)一代接一代赶超,NAND(一种非易失性存储技术,能在断电后保留数据)从无到有突破,投资占利润比例一度超70%。

就此,韩国完成了逆袭。

到2012年前后,韩国存储产业已占据全球主导地位,三星全球第一,SK海力士全球第二。在DRAM内存领域,韩国双雄一度垄断全球近七成份额。这已不仅是产业胜利,而是小国凭半导体完成的国家级跃迁。

但一个致命的问题,很快摆在了台面上:巨量芯片,销往何方?

答案,很快浮现:中国。

进入21世纪,全球制造业发生结构性迁移。中国,加冕“世界工厂”。智能手机、PC、家电、服务器……所有电子产业齐聚中国,形成吞噬芯片的超级巨兽。

完美的产业共生就此诞生:韩国管供给,中国管需求。

在此基础之上,一种远比简单出口更深的绑定,就此拉开序幕。

2012年,古都西安,迎来了一场足以改写城市命运的招商大战。同年,三星电子正在为其最先进的NAND闪存寻找海外生产基地。北京、重庆等一线城市悉数下场,竞争白热化。

为了拿下这个项目,西安开出了令全球瞩目的条件:除了千亩土地和巨额资金支持外,西安甚至为三星专门修建了一条高速公路,以及保障芯片生产所需的大量纯水和稳定供电系统。

在招商过程中,面对三星提出的超过一千个问题,陕西省定下“四小时回答制度”。无论涉及多少部门,四小时内,必须给出专业答复。

最终,三星时任掌门人李健熙亲自拍板,定下了这个当时中国中西部地区最大的外资项目。仅三星一期第一阶段投资,即达70亿美元。

十几年过去了,三星在西安的累计投资已超过280亿美元。西安工厂不仅是三星在海外最大的芯片制造基地,更承担着三星全球约40%的NAND闪存产能。

这意味着,全球每7块闪存芯片,就有1块来自西安。


▲西安三星半导体工厂,图源:环球时报

如果说三星在西安成就了“锦上添花”的霸业,那SK海力士在无锡,则是一场关乎生死的涅槃。

2004年前后,还未被SK集团收购的海力士,正深陷财务泥潭,命悬一线。生死关头,他们将最后的目光投向了中国。

在无锡市政府的鼎力支持下,海力士与意法半导体结成战略联盟,打造了当时国内半导体领域单体投资规模最大的项目之一,并将工厂落户无锡。

这一关键布局,不仅帮助海力士走出了困境,更让无锡从此成为全球存储芯片产业的重镇。此后,SK海力士又斥资90亿美元,接盘了英特尔位于大连的NAND闪存工厂。

如今,SK海力士全球30%至40%的DRAM产能,都集中在无锡。与此同时,SK海力士每生产3块NAND闪存芯片,就有至少1块来自大连。

过去十多年里,韩国人出技术,中国人出土地、工程师和广阔的市场。这种“中韩蜜月期”造就了全球半导体产业最有效率的分工模式。

在中国的工厂里,硅片日夜不息地运转,变成一颗颗存储颗粒。然后,它们被直接送上货车,运往深圳、东莞、郑州,装进苹果、华为、小米、OPPO、vivo的手机里,销往全球。

这也是韩国芯片的黄金时代。巅峰时期,韩国半导体出口额的近六成,流向的都是中国。中国市场,就是韩国芯片巨头们最可靠的“印钞机”和最稳固的“定海神针”。

而从地理版图上看,西安、无锡、大连三座城市,也构成了韩国半导体产业的“第二本土”。

【02 夹缝求生】

然而,故事翻到这一页,风云突变。

2022年10月,美国商务部祭出对华半导体设备出口全面限制。一时间,所有在华设有先进产线的外国企业都面临生死抉择:继续在中国升级设备,等于与华盛顿对着干;放弃升级,等于眼睁睁看着数十亿、数百亿美元的投资贬值。

在美国企业利益受损、盟友强烈抗议的多重压力下,拜登政府给了三星和SK海力士一个“窗口期”,授予“经验证最终用户”(VEU)资格,允许它们无需逐项申请许可就能向中国工厂引进受控设备。

韩企松了一口气。但所有人都知道,这只是暂时的。

2025年8月,靴子落地。

特朗普政府宣布,撤销三星电子和SK海力士的“经验证最终用户”资格。美国商务部产业安全保障局直言不讳:“这一举措弥补了拜登政府时期的漏洞,当时少数外国企业无需许可,即可向中国出口半导体设备和技术。”更狠的是,美国商务部还明确表示,不打算向这两家公司发放在中国工厂扩产或进行技术升级的许可。

消息传出,韩国半导体业界一片哗然。要知道,三星西安工厂承担着约40%的NAND产能,SK海力士无锡工厂承担着30%至40%的DRAM产能。如果无法引进先进设备,这些产线将从“主力”迅速沦为“累赘”。

韩国对外经济政策研究院高级研究员郑衡坤说得直白:“特朗普政府一向把一切当作谈判工具,可能会利用被收回的VEU豁免资格作为杠杆,诱导韩国企业追加对美投资。”他同时补充道:“无论是否追加投资,美国要求与中国市场脱钩的政策基调都不会改变。”

压力之下,韩国企业开始了一场精密又无奈的“技术走钢丝”。

SK海力士无锡工厂的升级故事,堪称全球化时代最荒诞的技术博弈案例。

2026年初,SK海力士宣布无锡工厂完成制程升级,90%的DRAM产能从1z纳米转向更先进的1a纳米。1a制程相比1z,单位晶圆可多产出约25%的芯片,功耗降低约20%。这是一次实实在在的技术跃升。

但问题来了:1a DRAM制程需要使用极紫外(EUV)光刻设备,而这种设备受美国出口管制,严禁对华进口。

SK海力士的解决方案堪称“神操作”:将晶圆运回韩国,在利川工厂完成EUV光刻,再把晶圆运回无锡完成后续工序。

一片晶圆要在中国和韩国之间来回折腾,物流成本飙升,生产周期拉长,品控风险翻倍。但SK海力士别无选择。

这种“分段制造”策略,本质上是韩国企业在中美夹缝中求生存的极限操作。美国不让先进设备进中国,韩国就把最关键的工序留在本土,用物流成本换取政治合规。

与此同时,三星也在走类似的钢丝。

西安工厂2025年完成了从128层到236层的工艺升级,并计划2026年向280层迈进。同时,三星在韩国本土加速推进400层NAND的量产,在中国则保持“次先进”但“高产能”的定位。

也就是说,西安做大规模,韩国做最尖端。两头都要抓,两头都不能放。

但这种平衡注定是脆弱的。

2025年12月31日,路透社报道称,美国已向三星和SK海力士颁发2026年度的设备出口许可证,但需按年度审批

这项政策标志着美国对华半导体出口管制进入了“精细化管控”的新阶段。简单来说,美国不再给三星和SK海力士发“长期通行证”(VEU),而是改发“一年一签的临时签证”。

更深层的变化也正在发生。

2025年第一季度,韩国对华半导体出口额同比下降23.5%,对华出口总额降至288亿美元,为九年来的最低水平。

事实上,中韩贸易的转折点早在2023年就已到来。那一年,韩国与中国的贸易收支31年来首次出现逆差,这成为自1992年两国建交以来中韩经济关系的一个关键分水岭。

韩国《中央日报》发出预警:韩国原本引以为傲的半导体领先地位,恐在未来五年内被中国反超。

【03 势起东方】

当三星与SK海力士在夹缝中艰难求生时,中国芯片,正强势突围。

2025年11月,IC China博览会。长鑫存储的展台前,一块不起眼的参数牌引发全场骚动:DDR5,速率8000Mbps,最高颗粒容量24Gb。同台亮相的LPDDR5X,最高速率飙至10667Mbps,比上一代提升了66%。


▲图源:上海证券报

这不是实验室样品,而是量产产品。

全球高科技产业研究机构集邦咨询(TrendForce)数据显示,2025年长鑫存储合肥与北京工厂总产能已从每月23万片提升至28万片,2026年将进一步攀升至30万片。其全球DRAM出货量份额已升至约8%,出货量增长超过50%,已实现DDR4、DDR5双线布局。

长鑫的野心远不止于此。2026年初,消息传出:长鑫已启动HBM3高带宽存储器的量产工作,计划每月用约6万片晶圆生产HBM3,占总产能的20%。据《经济日报》报道,长鑫已向包括华为在内的境内客户交付16纳米制程的HBM3样品,产品良率已接近三星电子水准。

长鑫身侧,长江存储也在狂奔。

凭借自主研发的Xtacking架构技术,长江存储在消费级SSD市场已具备与国际巨头正面竞争的能力。2025年,长江存储全球NAND闪存出货量份额首次冲破10%大关,这也标志着,长江存储已稳固跻身全球NAND闪存市场的第一梯队。

长江存储的年产量也从2024年的129万片增长至2025年的177万片,预计2026年将接近200万片。其武汉三期项目预计2026年下半年量产,届时总产能将达每月30万片晶圆,有望超越SK海力士和美光,跃居全球第三,仅次于三星和铠侠。

然而,比产能数字更让首尔坐立不安的,是另一个正在发生的场景。

2026年2月,一则报道震动业界:惠普、戴尔、宏碁、华硕——全球四大PC巨头,几乎同时考虑启动对长鑫存储DRAM产品的质量验证。

知情人士称,惠普已启动产品品质与供应稳定度的认证流程,若DRAM供应持续受限、价格继续上涨,可能首次采购长鑫存储的DRAM用于非美国市场。戴尔同样已对长鑫存储的DRAM产品启动认证程序,主要出于对2026年内存价格可能继续攀升的担忧。

为什么这些PC巨头突然集体转向中国供应商?

答案很简单:因为韩国的芯片,被AI抢走了。

美光、三星、SK海力士等国际存储巨头,正在把最优质的产能优先保障英伟达、谷歌、亚马逊等AI客户。AI服务器需要的HBM高带宽内存,利润高、需求旺,巨头们趋之若鹜。而利润率较低、对成本敏感的消费电子市场,正在被无情挤出产能。

于是,许多PC制造商将长鑫存储视为消费电子领域的“救星”。

中国存储芯片的崛起速度,超出了大多数人的预期。韩国人的危机感,已经溢出产业界,进入国家层面。

韩国产业研究院的权威报告指出:韩国半导体产业正面临“三重夹击”——美国的技术封锁、中国的国产替代、日本在材料设备领域的强势地位。

韩国产业研究院中国产业分析组组长赵恩教在解读报告时说了一句分量极重的话:“现在韩中产业竞争已经不光是技术追赶的事,而是进入了产业生态、供应链和市场的结构性竞争阶段。”

然而,危机之中也藏着转机。

三星和SK海力士继续重仓中国,说明聪明的企业不会被动等待政治风向的改变。它们会想尽一切办法,通过分段制造、工艺分级、产能转移……在规则的缝隙中寻找生存空间。

三星电子会长李在镕在访华时明确表示,中国是三星全球战略中重要的组成部分。SK海力士首席执行官郭鲁正也表态,中国已成为SK海力士最重要的生产基地和销售市场之一,将继续扎根中国。

韩国芯片重仓中国的故事还远没有结束。2026年第二季度将是关键节点,三星西安X2产线向280层V9 NAND转换,SK海力士先进NAND产线转换将逐步落地。

这正是中国半导体产业最值得深思的地方。

韩国芯片之所以能在夹缝中博弈,根本原因在于它们掌控了核心技术、主导了全球产能、拥有成熟的品牌和客户关系。中国存储芯片要想走出一条独立道路,唯一的答案就是自主——在全球化的框架下,把核心技术握在自己手里。

三十年前,韩国人从夹缝中的追赶者,逆袭为全球霸主。今天,同样一条路,中国存储芯片正以更猛烈的加速度重走一遍。当长鑫存储的HBM3切入全球高端供应链,当长江存储的产能直逼全球前三,当四大PC巨头集体为中国芯片亮起绿灯,一个属于中国存储芯片的时代,即将到来。

而这一刻,或许比所有人想象的都要来得更早。

【参考资料】

[1]SK海力士官网

[2]三星半导体官网

[3]《Korean chip giants step up China investments to combat AI memory shortage》韩国时报

[4]《Seoul’s Big Switch》连线杂志

[5]《韩国芯片,彻底爆了!》华商韬略

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