ETF风向标｜营收增长341%！存储芯片龙头业绩爆发

佰维存储公告称，2026年第一季度实现营业收入68.14亿元，同比增长341.53%；归属于上市公司股东的净利润为28.99亿元，同比扭亏为盈。业绩变动主要系本期业绩大幅增长，主要受益于AI算力爆发，存储行业进入高景气周期，市场需求旺盛推动产品价格持续上涨。

受此消息催化，科创芯片ETF(588290)上涨0.5%，成分股中船特气上涨7.2%，芯源微上涨4%，峰岹科技上涨3.5%，联芸科技上涨3.01%，纳芯微上涨2.43%。拉长时间看，截至上一个交易日收盘，科创芯片ETF(588290)近1周累计上涨5.15%。

热点解读

当前，存储行业进入新一轮景气周期，DRAM合约价（芯片供应商与客户之间签订的长期供应合同中的价格）预计2026年第一季度季增90%至95%，第二季度涨价已提前锁定，再涨约30%。TrendForce数据显示，第二季度DRAM合约价将季增58%至63%，NAND Flash合约价则季增70%至75%。Micron财报显示，DRAM业务营收同比增长207%，环比增长74%，产品ASP环比上涨约65%；NAND Flash业务营收创历史新高，环比增长82%，产品ASP环比上涨75%～79%。

涨价背后，存储芯片产能供应持续吃紧。大型AI数据中心建设需求激增，促使科技公司大量囤积存储芯片，导致整个行业处于短缺状态。全球HBM(高带宽内存)未来3年复合年增长率预计超40%，短缺态势将持续到2026年以后。Samsung已确认正在开发第八代高带宽内存HBM5，核心底层芯片将采用2nm工艺打造。

为匹配市场需求，Micron上调资本开支规划，2026财年资本支出预计超250亿美元，2027财年将继续大幅增长，重点投向HBM及DRAM产能建设。2026年资本支出重点将转向制程技术升级与混合键合等先进工艺的导入，位元供给增长幅度有限，供不应求的市场状态或将持续全年。Samsung与NVIDIA合作深化，后者新款AI推理芯片已委托三星晶圆代工事业部负责生产。

国产存储也在加速发展，长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品，长江存储三期建设正迈向100%设备国产化目标。CBA+4F2在制程节点压力以及混合键合技术积累加持之下或成为国产存储弯道超车的必由之路。国内利基存储市场亦将在AI定制化存储推动下迎来发展良机，长江存储和长鑫存储作为国内存储芯片制造龙头企业，有望为产业链带来诸多机会。

投资逻辑

存储行业正迎来新一轮景气周期，DRAM与NAND Flash合约价格持续上涨，AI算力需求爆发导致产能供应吃紧，全球HBM未来3年复合年增长率预计超40%。存储原厂如Micron上调资本开支规划，重点投向HBM及DRAM产能建设，2026年将转向制程技术升级与先进工艺导入。国产存储加速发展，长鑫存储推出LPDDR5X产品，长江存储三期建设迈向100%设备国产化，CBA+4F2技术或成为国产存储弯道超车路径，国内利基市场在AI定制化存储推动下迎来发展良机。（声明：以上信息仅供参考，不构成投资建议。市场有风险，投资需谨慎。）