北京
国家知识产权局信息显示，无锡市查奥微电子科技有限公司取得一项名为“一种大电流硅基mos管的封装结构”的专利，授权公告号CN224124567U，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种大电流硅基mos管的封装结构，包括设置于晶体管本体背面的封装组件，所述封装组件包括与晶体管本体背面的陶瓷基板，所述陶瓷基板的外侧设置有封装套壳。该大电流硅基mos管的封装结构，通过在封装套壳内设置陶瓷基板、引脚框架以及散热件等部件，形成了高效的散热路径，陶瓷基板与晶体管本体紧密贴合，能够快速吸收热量并传导至封装套壳内部的均热片，均热片与散热板配合，通过热传导和热对流的方式将热量散发出去，此外，散热板背面的导风槽设计进一步增强了热对流，提高了散热效率，能够有效解决大电流硅基MOS管在处理大电流时因散热不良导致的导通电阻增大、热失控等问题，提高了MOS管的稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，无锡市查奥微电子科技有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1030万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市查奥微电子科技有限公司专利信息32条，此外企业还拥有行政许可12个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
