北京
国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板”的专利，公开号CN121843537A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于ETS流程引线回蚀的制作方法及封装基板，其中方法包括：在可分离芯板的金属底面上形成金属合金层；在所述金属合金层上制作嵌入式迹线层图形，所述嵌入式迹线层图形包含功能图形和引线图形；对所述引线图形进行蚀刻，使其厚度低于功能图形的厚度；进行层压处理，使用绝缘介质材料填充所述嵌入式迹线层图形的间隙，使得所述引线图形被包覆于所述绝缘介质材料中；去除可分离芯板及其金属底面，蚀刻去除所述金属合金层，使嵌入式迹线层图形露出，且凹蚀深度在预设值内；对包覆于所述绝缘介质材料中的所述引线图形进行回蚀。本发明提升了封装基板的可靠性、良率及布线密度。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可74个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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