北京
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121843154A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构的制造方法包括：于衬底内形成沿平行衬底方向间隔分布的多个沟槽；多个所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的槽宽小于所述第二沟槽的槽宽。于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第一外延层；所述第一外延层至少填满所述第一沟槽，并覆盖所述第二沟槽的底部和侧壁；形成所述第一外延层后，所述第二沟槽内形成有盲孔。于所述盲孔内形成第二外延层；所述第二外延层封堵所述盲孔的开口，以于所述第二沟槽内形成空气间隙。本申请能够补偿槽宽差异问题对半导体结构耐压性能的均匀性所造成的不良影响，有利于提高半导体结构的良率和性能。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1977次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1362条，此外企业还拥有行政许可201个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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