最前线 | 远见智存发布HBM3/3e高带宽存储芯片，带宽迈入800GB/s级别

作者 | 乔钰杰

编辑 | 袁斯来

近期，深圳远见智存科技有限公司发布其HBM3/3e高带宽存储芯片产品，提供12GB与24GB两种容量规格，带宽达819GB/s，对标JEDEC国际标准体系。

远见智存HBM3/3e产品规格（图源/企业）

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储）被视为当前AI算力体系中的关键组件之一。在大模型规模持续扩大、训练与推理负载提升的背景下，算力芯片与内存带宽之间的瓶颈问题愈发突出，业内通常将其称为“内存墙”。

HBM通过多层DRAM裸片堆叠及TSV（硅通孔）互连，实现较传统DDR更高的带宽与单位面积容量，已成为AI加速器与高性能计算系统的主流配置之一。据YOLE预测，2026年全球HBM市场规模将突破460亿美元，2030年有望接近1000亿美元，年复合增长率约33%。

此前，全球HBM市场长期由SK海力士、三星、美光三家厂商主导，占据超过95%的市场份额。近年来，中国HBM相关产业链技术实力显著提升，市场普遍认为的多项瓶颈正在逐步突破，在这一背景下，远见智存的产品推进可视为国内厂商在HBM领域的重要阶段性进展。

此次发布的HBM3/3e产品，采用1024bit数据总线设计，相较DDR5的64bit接口实现数量级提升。产品具备两大差异化优势：其一，通过优化核心电路电压域设计，整体功耗降低20%；其二，采用TSV冗余性布局和可修复性设计，芯片制造良率提升约8%，可实现同等产能下节省近十分之一的晶圆成本。

远见智存HBM3/3e产品优势（图源/企业）

团队方面，远见智存成立于2023年，专注于高带宽存储芯片（HBM），创始团队自2016年前后即开始参与上一代HBM技术研发，是最早一批进入该领域的工程团队之一 。目前公司在国内设有多个研发中心，团队成员包括来自美光、尔必达等存储厂商的工程师，具备一定国际化背景。

业务模式上，公司采用“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的Fabless模式，整套供应链均由中国供应商配套完成。值得注意的是，当前，国内存储芯片设计公司仍以传统DRAM为主，高端HBM领域参与者相对有限。在此背景下，远见智存的HBM产品设计已覆盖从DRAM Die到Base Die的完整链路，且完整持有相关逻辑与存储部分的知识产权，核心研发设计能力较为突出。

应用侧，公司当前HBM3/3e产品已可应用于AI全产业的训练与推理场景。随着AI算力需求外溢，HBM也开始向车载计算、边缘设备等场景探索。目前远见智存已着手进行面向汽车车载、移动穿戴、具身智能及无人设备等场景的定制化开发，未来，低功耗、高可靠性、小容量高带宽等多元化产品将逐步落地。

从技术演进看，HBM仍在快速迭代。公司披露的产品演进路线显示，2027年将推出定制版HBM及HBM+HBF融合架构，面向大模型推理提供TB级容量方案；2028年计划推出HBM4/4e，单颗带宽提升至2.5TB/s；2029年规划推出HBM5及存内计算产品，探索“计算靠近数据”的架构方向。

远见智存 产品规划路线图（图源/企业）