北京
国家知识产权局信息显示，国巨电子（中国）有限公司申请一项名为“一种高功率小型化厚膜电阻制备方法”的专利，公开号CN121839334A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高功率小型化厚膜电阻制备方法，包括各功能层材料的印刷、烧结、固化及折粒，其特征在于：在单张基板上印刷时，纵向排列的有效列与辅助列交替分布，且首、尾两侧靠近基板边缘设为辅助列，所述有效列为包含电阻层在内的有效电阻颗粒单列，所述辅助列为包含有辅助导体层的单列；所述电阻层的横向长度范围自贴近于单颗折粒线内侧至向外延伸超出单颗电阻单元长度，构成超长电阻层，在激光修正电阻层时，量测探针以相邻辅助列中的所述辅助导体层为探测基点，对有效列内的电阻层进行修正操作。本发明通过内部结构和材料布局的改变，在保持小尺寸的同时无需引入新材料新工艺，实现产品小型化高功率高电性能，高耐候性预期效果。
天眼查资料显示，国巨电子（中国）有限公司，成立于1996年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30197.7万美元。通过天眼查大数据分析，国巨电子（中国）有限公司参与招投标项目41次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可33个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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