北京
国家知识产权局信息显示，北京磐芯微电子科技有限公司申请一项名为“用于制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121843124A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括形成多个闪存单元的第一区域和形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第二区域，每个闪存单元包括两个存储晶体管和置于其间的一个选通晶体管。根据本公开的用于制造半导体装置的方法包括：提供半导体衬底并在其中形成隔离结构；形成存储晶体管的存储栅介质叠层和第一栅电极层；在第一区域中形成与选通晶体管和存储晶体管的栅结构对应的沟槽并且在其两侧顶部形成硬掩模阻挡部；去除沟槽和第二区域中的存储栅介质叠层和第一栅电极层；并发地形成选通晶体管和MOS晶体管的栅介质层和第二栅电极层；形成选通晶体管的栅结构；以及形成第一区域中的存储晶体管和第二区域中的MOS晶体管的栅结构。
天眼查资料显示，北京磐芯微电子科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，北京磐芯微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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