SK海力士计划年内超半数DRAM产能转换为1c工艺产品，科创半导体ETF华夏（588170）和半导体设备ETF华夏（562590）盘中涨超２%

截至2026年4月9日10:51，科创半导体ETF华夏（588170）上涨2.19%，半导体设备ETF华夏（562590）上涨2.08%，冲击三连涨。

热门个股方面，新益昌上涨7.44%，中科飞测上涨6.45%，中船特气上涨5.89%，拓荆科技，华海清科等个股跟涨。

流动性方面，科创半导体ETF华夏盘中换手6.04%，成交5.17亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手3.14%，成交8294.75万元。

规模方面，科创半导体ETF华夏近1周规模增长3.08亿元，实现显著增长，新增规模领先同类；半导体设备ETF华夏最新规模达26.22亿元。

资金流入方面，半导体设备ETF华夏最新资金净流出3763.77万元。拉长时间看，近9个交易日内，合计“吸金”2048.75万元。

消息面上，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。

招商证券指出，2026年全球晶圆厂资本开支持续增长，国内先进及成熟制程扩产均可期。1）存储方面，预计2026年DRAM和NAND资本开支增长，但预计整体位元产出有限。①预计2026年DRAM资本支出增长14%，三大原厂面向1c制程及HBM4扩张。②预计2026年NAND资本支出增长5%，主要系铠侠BiCS9/BiCS8研发量产及美光G9和eSSD。考虑到洁净室空间限制，DRAM及NAND位元增长有限。③国内存储原厂预计持续扩产，市占率有望持续提升；2）逻辑方面，2026年全球晶圆代工资本支出的年增长预估为13%，多数企业的资本支出呈现小幅成长或持平状态，资金主要投向先进工艺产能，成熟制程工艺仍然处于积极扩产态势；中芯/华虹等明年持续有新增产能释放。

相关ETF：科创半导体ETF华夏（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中先进封装含量在全市场中最高（约50%），聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357）：跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高（约63%），直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”（设备商）的确定性需求。